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K4E661612B-TC60 construit près: |
RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E641612B-TL60, K4E641612B-TL50, K4E661612B-TC45, K4E661612B-TC50, K4E641612B-TL45, |
Téléchargement K4E661612B-TC60 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 888 kb |
K4E661612B-TC50 | Vue K4E661612B-TC60 à notre catalogue | K4E661612B-TL45 |