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| Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 construit près: | 
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 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10, K6R1004V1D-JC(I)08_10, K6R1004C1D-JC(I)10_12, |
Téléchargement K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 263 kb |
| K6R1008C1D-J(T)C(I)10 | Vue K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 à notre catalogue | K6R1008C1D-J(T)C(I)12 |