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K6R1008C1D-J(T)C(I)12 construit près: |
64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K6R1008C1D-J(T)C(I)10, K6R1004C1D-JC(I)10, K6R1008V1D-J(T)C(I)08, K6R1004V1D-JC(I)10, K6R1008V1D-J(T)C(I)10, |
Téléchargement K6R1008C1D-J(T)C(I)12 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 186 kb |
K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 | Vue K6R1008C1D-J(T)C(I)12 à notre catalogue | K6R1008C1D-JC10 |