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| K6R1008V1B-C8 construit près: | 
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 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K6R1008V1B-I10, K6R1008V1B-I12, K6R1008V1B-I-P, K6R1008V1B-C12, K6R1008V1B-I8, |
Téléchargement K6R1008V1B-C8 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 187 kb |
| K6R1008V1B-C12 | Vue K6R1008V1B-C8 à notre catalogue | K6R1008V1B-I-P |