| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601361 | K6R1008V1B-B-L | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601362 | K6R1008V1B-B-P | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601363 | K6R1008V1B-C-L | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601364 | K6R1008V1B-C10 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601365 | K6R1008V1B-C12 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601366 | K6R1008V1B-C8 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601367 | K6R1008V1B-I-P | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601368 | K6R1008V1B-I10 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601369 | K6R1008V1B-I12 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601370 | K6R1008V1B-I8 | charge statique à grande vitesse RAM(3.3V du peu 128Kx8 fonctionnant), goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles | Samsung Electronic |
| 601371 | K6R1008V1D | 128K X fiche technique 8 fonctionnante statique à grande vitesse du bit CMOS RAM(3.3v) | Samsung Electronic |
| 601372 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601373 | K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 601374 | K6R1008V1D-J(T)C(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601375 | K6R1008V1D-JC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601376 | K6R1008V1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601377 | K6R1008V1D-JI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601378 | K6R1008V1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601379 | K6R1008V1D-KC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601380 | K6R1008V1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601381 | K6R1008V1D-KI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601382 | K6R1008V1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601383 | K6R1008V1D-TC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601384 | K6R1008V1D-TC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601385 | K6R1008V1D-TI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601386 | K6R1008V1D-TI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601387 | K6R1008V1D-UC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601388 | K6R1008V1D-UC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601389 | K6R1008V1D-UI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601390 | K6R1008V1D-UI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601391 | K6R1016C1 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601392 | K6R1016C1C | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601393 | K6R1016C1C-C10 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601394 | K6R1016C1C-C12 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601395 | K6R1016C1C-C15 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601396 | K6R1016C1C-I10 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601397 | K6R1016C1C-I12 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601398 | K6R1016C1C-I15 | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0V Statique Fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601399 | K6R1016C1D | 64Kx16 Peu CMOS À grande vitesse RAM(5.0v Statique Fonctionnant). Fiche technique | Samsung Electronic |
| 601400 | K6R1016C1D-EC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
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