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MJE18004D2-D construit près: |
Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et TRANSISTORS de PUISSANCE efficaces intégrés de réseau d'Antisaturation 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | Téléchargement MJE18004D2-D datasheet de ON Semiconductor |
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MJE18004D2 | Vue MJE18004D2-D à notre catalogue | MJE18006 |