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MJE18004D2-D Fabricado cerca: |
Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y TRANSISTORES de ENERGÍA eficientes incorporados de la red de Antisaturation 5 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 75 VATIOS | Transferencia Directa MJE18004D2-D datasheet de ON Semiconductor |
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MJE18004D2 | Vista MJE18004D2-D a nuestro catálogo | MJE18006 |