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| MTD1N80E construit près: | 
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 | Puissance à effet de champ Transistor DPAK pour montage en surface | Téléchargement MTD1N80E datasheet de ON Semiconductor |
PDF 138 kb |
 | FET de PUISSANCE de TMOS 1,0 AMPÈRES 800 VOLTS De RDS(on) = 12 OHMS | Téléchargement MTD1N80E datasheet de Motorola |
pdf 275 kb |
| MTD1N60E-D | Vue MTD1N80E à notre catalogue | MTD1N80E-D |