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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
PDTB123ET construit près: |
PNP 500 mA, le transistor de résistance équipé de 50 V; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm | Téléchargement PDTB123ET datasheet de NXP Semiconductors |
pdf 112 kb |
PDTB114EU | Vue PDTB123ET à notre catalogue | PDTB123EU |