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PDTB123ET Vorbei Hergestellt: |
PNP 500 mA, 50 V Widerstand-Transistor ausgestattet; R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm | Download PDTB123ET datasheet von NXP Semiconductors |
pdf 112 kb |
PDTB114EU | Ansicht PDTB123ET zu unserem Katalog | PDTB123EU |