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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
STE250N06 construit près: |
Longueur / hauteur 12,2 mm Largeur 25,4 mm Profondeur 38 mm Puissance dissipée 450 W Transistor polarité Centres canal N de fixation 31,6 mm Courant, Id cont. 250 A Idm impulsion de courant 750 A d'isolement de tension de 2,5 kV | Téléchargement STE250N06 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE EN PAQUET D'ISOTOP | Téléchargement STE250N06 datasheet de ST Microelectronics |
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N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE EN PAQUET D'ISOTOP | Téléchargement STE250N06 datasheet de ST Microelectronics |
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N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE EN PAQUET D'ISOTOP | Téléchargement STE250N06 datasheet de ST Microelectronics |
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STE24NA100 | Vue STE250N06 à notre catalogue | STE250NS10 |