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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| STE250N06 Vorbei Hergestellt: | 
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 | Länge / Höhe 12,2 mm Breite 25,4 mm Tiefe 38 mm Verlustleistung 450 W Transistorpolung N-Kanal-Zentren zur Festsetzung 31,6 mm Aktuelle Id Forts. 250 A Strom Idm Impuls 750 A Spannung Isolierung 2,5 kV | Download STE250N06 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
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 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 335 kb |
| N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 335 kb |
| N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR Im ISOTOPPAKET | Download STE250N06 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 335 kb |
| STE24NA100 | Ansicht STE250N06 zu unserem Katalog | STE250NS10 |