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Datenblaetter Gefunden :: 82

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
1	C395-MB290-E400	11.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
2	C395-XB290-E400-A	16.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
3	C395-XB290-E400-B	16.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
4	C400-MB290-E400	12.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
5	C405-MB290-E400	12.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
6	C405-XB290-E400-A	17.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
7	C405-XB290-E400-B	17.0mW; Farbe: UV; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
8	C405-XB900-A	250mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
9	C405-XB900-B	250mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
10	C430-CB230-E1000	650uW; 15mA; superhellen LED für Hochauflösung Videoanzeigen	CREE POWER

11	C430-CB290-E1000	1150uW; 30mA; superhellen LED für die Vollfarbanzeigen & Laufschriften	CREE POWER
12	C430-UB290-E1000	2,0 mW; 30mA; superhellen LED für die Vollfarbanzeigen & Laufschriften	CREE POWER
13	C450-CB290-E1000	3,5-MW; Farbe: tiefblau; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
14	C460-CB230-E1000	1.3W; Farbe: tiefblau; 3.7V; niedrige Strom InGaN LED	CREE POWER
15	C460-CB290-E1000	3.0mW; Farbe: tiefblau; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
16	C460-MB290-E1000	11.0mW; Farbe: tiefblau; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
17	C460-UB290-E1000	5.5mW; Farbe: tiefblau; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
18	C460-UB291-E1000	5.5mW; Farbe: tiefblau; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
19	C460-XB290-E1000-A	15.0mW; Farbe: tiefblau; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
20	C460-XB290-E1000-B	14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
21	C470-CB230-E1000	1.3W; Farbe: tiefblau; 3.7V; niedrige Strom InGaN LED	CREE POWER
22	C470-CB290-E1000	2,5 mW; color: blue; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
23	C470-MB290-E1000	10.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
24	C470-UB290-E1000	5.0mW; color: blue; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
25	C470-UB291-E1000	5.0mW; color: blue; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
26	C470-XB290-E1000-A	14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
27	C470-XB290-E1000-B	14.0mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
28	C470-XB900-A	150mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
29	C470-XB900-B	150mW; color: blue; 3.7-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
30	C490-CB290-E1000	2,5 mW; Farbe: Aquablau; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
31	C490-UB290-E1000	4.8mW; Farbe: Aquablau; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
32	C503-MB290-E1000	8.0mW; Farbe: grün; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
33	C505-CB290-E1000	2,0 mW; Farbe: grün; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
34	C505-MB290-E1000	8.0mW; Farbe: grün; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
35	C505-UB290-E1000	3,5-MW; Farbe: grün; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
36	C505-XB290-E1000-A	11.0mW; Farbe: grün; 3.8-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
37	C505-XB290-E1000-B	11.0mW; Farbe: grün; 3.8-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
38	C525-CB230-E1000	0.650W; Farbe: grün; 3.7V; niedrige Strom InGaN LED	CREE POWER
39	C525-CB290-E1000	1,5 mW; Farbe: grün; 3.3-3.7V; super helle InGaN LED	CREE POWER
40	C525-UB290-E1000	3.0mW; Farbe: grün; 3.5-3.9V; ultrahelle InGaN LED	CREE POWER
41	C527-MB290-E1000	7.0mW; Farbe: grün; 3.7-4.0V; Mega hellen InGaN LED	CREE POWER
42	C527-XB290-E1000-A	9.0mW; Farbe: grün; 3.8-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
43	C527-XB290-E1000-B	9.0mW; Farbe: grün; 3.8-4.0V; Xbright InGaN LED	CREE POWER
44	CRF-22010-001	62,5mW; 120VDC; SiC HF-Leistungs MESFET. Für die Klasse A, AB-Verstärker; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, Breitbandverstärker, CATV Verstärker, MMDS	CREE POWER
45	CRF-22010-101	62,5mW; 120VDC; SiC HF-Leistungs MESFET. Für die Klasse A, AB-Verstärker; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, Breitbandverstärker, CATV Verstärker, MMDS	CREE POWER
46	CRF-22010-TB	50VDC; 66W; Evaluierungsboard für CRF-22010 Version A (Schmalband)	CREE POWER
47	CSD01060A	600V; 1A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
48	CSD01060E	600V; 1A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
49	CSD04060A	600V; 4A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
50	CSD04060B	600V; 4A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
51	CSD04060E	600V; 4A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
52	CSD05120A	1200V; 5A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung, Hochspannungs Multiplikatoren	CREE POWER
53	CSD06060A	600V; 6A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
54	CSD06060B	600V; 6A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
55	CSD06060G	600V; 6A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
56	CSD10060A	600V; 10A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
57	CSD10060B	600V; 10A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
58	CSD10060G	600V; 10A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
59	CSD10120D	1200V; 5A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung	CREE POWER
60	CSD20060D	600V; 20A; keine Verwertungsgewinne erzielt Gleichrichter. Für Schaltnetzteile, Power Factor Correction, Motorsteuerung, Dämpfer	CREE POWER
61	CXXX-CB230-E1000	5V; 125mA; superhellen LED. Für die Kommunikation Handys, Hintergrundbeleuchtung, hochauflösende Video-Displays	CREE POWER
62	CXXX-CB290-S0100	5V; 30mA; superhellen LED. Für Outdoor-LED-Video-Displays, automative Armaturenbeleuchtung, weiße LED, Hintergrundbeleuchtung	CREE POWER
63	CXXX-MB290-E1000	5V; 30mA; superhellen LED. Für Outdoor-LED-Video-Displays, automative Armaturenbeleuchtung, weiße LED, Hintergrundbeleuchtung	CREE POWER
64	CXXX-MB290-S0100	5V; 30mA; superhellen LED. Für Outdoor-LED-Video-Displays, automative Armaturenbeleuchtung, weiße LED, Hintergrundbeleuchtung	CREE POWER
65	CXXX-UB290-S1000	5V; 30mA; superhellen LED. Für Outdoor-LED-Video-Displays, automative Armaturenbeleuchtung, weiße LED, Hintergrundbeleuchtung	CREE POWER
66	CXXX-UB29X-S0100	5V; 30mA; superhellen LED. Für Outdoor-LED-Video-Displays, automative Armaturenbeleuchtung, weiße LED, Hintergrundbeleuchtung	CREE POWER
67	W4NRD0X-0000	Durchmesser: 50,8 mm; LCW Substraten; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
68	W4NRD8C-U000	Durchmesser: 50,8 mm; Ultra-Low mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
69	W4NXD8C-0000	Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
70	W4NXD8C-L000	Durchmesser: 50,8 mm; Nieder mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
71	W4NXD8C-S000	Durchmesser: 50,8 mm; Wählen mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
72	W4NXD8D-0000	Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
73	W4NXD8D-S000	Durchmesser: 50,8 mm; Wählen mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
74	W4NXD8G-0000	Durchmesser: 50,8 mm; standatd mircopipe Dichte; Siliciumcarbid-Substraten. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
75	W6NRD0X-0000	Durchmesser: 50,8 mm; LCW-Typ; 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
76	W6NRE0X-0000	Durchmesser: 76,2 mm; LCW-Typ; 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
77	W6NXD0K-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
78	W6NXD0KLSR-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
79	W6NXD3J-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
80	W6NXD3K-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
81	W6NXD3L-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER
82	W6PXD3O-0000	Durchmesser: 50,8 mm; lsemi isolierenden (Prototyp); 6H-Siliziumkarbid. Für Hochfrequenz-Leistungsgeräte, High Power Geräte, Hochtemperaturgeräte, optoelektronische Bauteile, III-V-Nitrid-Abscheidung	CREE POWER

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