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2N6757 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 9A/ 150V/200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N6758, |
Download 2N6757 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | Download 2N6757 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 121 kb |
2N6756 | Ansicht 2N6757 zu unserem Katalog | 2N6758 |