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PDTB123TT Vorbei Hergestellt: |
PNP 500 mA, 50 V Widerstand-Transistor ausgestattet; R1 = 2,2 kOhm, R2 = offen | Download PDTB123TT datasheet von NXP Semiconductors |
pdf 104 kb |
PDTB123EU | Ansicht PDTB123TT zu unserem Katalog | PDTB123Y |