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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1026081PTB78560A30-W, 24-V/48-V Eingang DC / DC-Wandler mit Auto-Track-SequenzierungTexas Instruments
1026082PTB78560B30-W, 24-V/48-V Eingang DC / DC-Wandler mit Auto-Track-SequenzierungTexas Instruments
1026083PTB78560C30-W, 24-V/48-V Eingang DC / DC-Wandler mit Auto-Track-SequenzierungTexas Instruments
1026084PTC4001TNPN Mikrowelle Energie TransistorPhilips
1026085PTD08A020W20A, 4,75 V bis 14V, nicht isoliert, Digital-Modul PowertrainTexas Instruments
1026086PTD08A210W10 Einzel-A-Ausgang, 4.75V bis 14V Eingangs, nicht isoliert, Digitalpowertrain-ModulTexas Instruments
1026087PTEA40412050-W, 48-V-Eingang, 12-V-Ausgang, Isolierte DC / DC-WandlerTexas Instruments
1026088PTFIndustrieller, sehr niedriger Geräusch-und Spannung Koeffizient, kleines Paket, Laser 100% wand sich, sehr gute Hochfrequenzeigenschaften, die vorhandene Akzeptanzprüfung, kann Wirewound Spulen, überlegenen Feuchtigkeit Schutz ersetzVishay
1026089PTF080101LDMOS RF ENERGIE FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ aufInfineon
1026090PTF080101SLDMOS RF ENERGIE FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR 10W/ 860-960MHZ aufInfineon
1026091PTF080451LDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 45 Mit 869-960 MHZ aufInfineon
1026092PTF080451ELDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 45 Mit 869-960 MHZ aufInfineon
1026093PTF080601LDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 60 Mit 860-960 MHZ aufInfineon
1026094PTF080601ALDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 60 Mit 860-960 MHZ aufInfineon
1026095PTF080601ELDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 60 Mit 860-960 MHZ aufInfineon
1026096PTF080601FLDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 60 Mit 860-960 MHZ aufInfineon
1026097PTF080901LDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 90 Mit 869-960 MHZ aufInfineon
1026098PTF080901ELDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 90 Mit 869-960 MHZ aufInfineon
1026099PTF080901FLDMOS Rf Energie Fangen Effekt-Transistor 90 Mit 869-960 MHZ aufInfineon



1026100PTF1000735 Watt, 1.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026101PTF1000985 Watt, 1.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026102PTF1001550 Watt, 300.960 MHZ GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026103PTF1001970 Watt, 860.960 MHZ GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026104PTF10020125 Watt, 860.960 MHZ GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026105PTF1002130 Watt, 1.4.1.6 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026106PTF1003150 Watt, 1.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026107PTF1003685 Watt, 860.960 MHZ GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026108PTF1004312 Watt, 1.9.2.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026109PTF1004530 Watt, 1.60.1.65 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026110PTF1004830 Watt, 2.1.2.2 Gigahertz, W-CDMA GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026111PTF1005235 Watt, 1.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026112PTF1005312 Watt, 2.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026113PTF1006530 Watt, 1.93.1.99 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026114PTF10100165 Watt, 860.900 MHZ LDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026115PTF101075 Watt, 2.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026116PTF101116 Watt, 1.5 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026117PTF1011260 Watt, 1.8.2.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026118PTF1011912 Watt, 2.1.2.2 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026119PTF10120120 Watt, 1.8.2.0 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
1026120PTF1012250 Watt WCDMA, 2.1.2.2 Gigahertz GOLDMOS Fangen Effekt-Transistor aufEricsson Microelectronics
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