| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1163281 | STBS5B2 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163282 | STBS5B3 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163283 | STBS5B3 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163284 | STBS5B4 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163285 | STBS5B4 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163286 | STBS5B5 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163287 | STBS5B5 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163288 | STBS5B8 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163289 | STBS5B8 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163290 | STBS5B9 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163291 | STBS5B9 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163292 | STBS5D0 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163293 | STBS5D0 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG UMKEHRBARER VORÜBERGEHENDER SPANNUNGENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1163294 | STBV32 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163295 | STBV32 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163296 | STBV32 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163297 | STBV32-AP | HIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-Leistungstransistors | ST Microelectronics |
| 1163298 | STBV42 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163299 | STBV42 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163300 | STBV42-AP | HIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-Leistungstransistors | ST Microelectronics |
| 1163301 | STBV45 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163302 | STBV45 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163303 | STBV45-AP | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163304 | STBV45-AP | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163305 | STBV68 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1163306 | STBV68 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163307 | STC | Subminiature, verbleite feste Tantal-Kondensatoren, polar oder apolar | Vishay |
| 1163308 | STC-1506-2R4 | SMD ENERGIE DROSSELSPULE | Micro Electronics |
| 1163309 | STC-1606-2R4 | SMD ENERGIE DROSSELSPULE | Micro Electronics |
| 1163310 | STC03DE150 | HYBRIDER EMITTER GESCHALTETER ZWEIPOLIGER TRANSISTOR - ESBT "1500 V - 3 A - 0.55 Ohm | ST Microelectronics |
| 1163311 | STC03DE170 | HYBRIDER EMITTER GESCHALTETER ZWEIPOLIGER TRANSISTOR - ESBT "1700 V - 3 A - 0.55 Ohm | ST Microelectronics |
| 1163312 | STC03DE170HP | Hybrid Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT 1700V - 3A - 0,33} | ST Microelectronics |
| 1163313 | STC03DE170HV | Hybrid Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT 1700V - 3A - 0,33} | ST Microelectronics |
| 1163314 | STC03DE220HP | Hybrid Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT® 2200 V - 3 A - 0,33 ® | ST Microelectronics |
| 1163315 | STC03DE220HV | Hybrid Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT® 2200 V - 3 A - 0,33 ® | ST Microelectronics |
| 1163316 | STC04IE170HP | Monolithische Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT® 1700 V - 4 A - 0,17 ® | ST Microelectronics |
| 1163317 | STC04IE170HV | Monolithische Emitter geschaltet Bipolartransistor ESBT® 1700 V - 4 A - 0,17 ® | ST Microelectronics |
| 1163318 | STC08DE150 | HYBRIDER EMITTER GESCHALTETER ZWEIPOLIGER TRANSISTOR - ESBT "1500 V - 8 A - 0.075 Ohm | ST Microelectronics |
| 1163319 | STC128 | NPN Silikon-Transistor | AUK Corp |
| 1163320 | STC128M | NPN Silikon-Transistor | AUK Corp |
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