| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1184081 | T221160A | 64K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184082 | T221160A-30J | 64K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184083 | T221160A-30J | 30ns; 4,5 bis 5,5 V; 1.0W; 64K x 16 Dynamic RAM: Fast Page Mode | TM Technology |
| 1184084 | T221160A-30S | 64K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184085 | T221160A-30S | 30ns; 4,5 bis 5,5 V; 1.0W; 64K x 16 Dynamic RAM: Fast Page Mode | TM Technology |
| 1184086 | T221160A-35J | 64K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184087 | T221160A-35J | 35ns; 4,5 bis 5,5 V; 1.0W; 64K x 16 Dynamic RAM: Fast Page Mode | TM Technology |
| 1184088 | T221160A-35S | 64K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184089 | T221160A-35S | 35ns; 4,5 bis 5,5 V; 1.0W; 64K x 16 Dynamic RAM: Fast Page Mode | TM Technology |
| 1184090 | T221N | PHASE STEUERTHYRISTOREN | etc |
| 1184091 | T224160B | 256K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184092 | T224160B | 4,5 bis 5,5 V; 1.2W; 256K x 16 Dynamic RAM: Fast Page Mode | TM Technology |
| 1184093 | T224160B-30 | 256K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184094 | T224160B-35 | 256K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184095 | T224160B-45 | 256K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184096 | T224160B-60 | 256K x SCHNELLER SEITE MODUS DES DYNAMISCHEN RAM-16 | Taiwan Memory Technology |
| 1184097 | T224162-22J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 22ns | TM Technology |
| 1184098 | T224162-22S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 22ns | TM Technology |
| 1184099 | T224162-25J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 25ns | TM Technology |
| 1184100 | T224162-25S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 25ns | TM Technology |
| 1184101 | T224162-28J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 28 ns | TM Technology |
| 1184102 | T224162-28S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 28 ns | TM Technology |
| 1184103 | T224162-35J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 35ns | TM Technology |
| 1184104 | T224162-35S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 35ns | TM Technology |
| 1184105 | T224162-45J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 45ns | TM Technology |
| 1184106 | T224162-45S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 45ns | TM Technology |
| 1184107 | T224162-50J | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 50ns | TM Technology |
| 1184108 | T224162-50S | 256K x 16 EDO Seite dramatische Weise, 50ns | TM Technology |
| 1184109 | T224162B | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184110 | T224162B | 4,5 bis 5,5 V; 1.0W; 256K x 16 Dynamic RAM: EDO Seite Mode | TM Technology |
| 1184111 | T224162B-22 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184112 | T224162B-25 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184113 | T224162B-28 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184114 | T224162B-35 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184115 | T224162B-45 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184116 | T224162B-50 | 256K x DYNAMISCHER RAM16 EDO-SEITE MODUS | Taiwan Memory Technology |
| 1184117 | T2300 | EMPFINDLICHE GATTER-SILIKON-TRIAC | General Electric Solid State |
| 1184118 | T2300A | 2,5-A empfindlicher-Gate Silizium Triac. Max 3 mA Tor, Vdrom 100 V. | General Electric Solid State |
| 1184119 | T2300B | 2,5-A empfindlicher-Gate Silizium Triac. Max 3 mA Tor, Vdrom 200 V. | General Electric Solid State |
| 1184120 | T2300D | 2,5-A empfindlicher-Gate Silizium Triac. Max 3 mA Tor, Vdrom 400 V. | General Electric Solid State |
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