| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 248561 | BAVP21 | Dioda prze..czaj.ca | Ultra CEMI |
| 248562 | BAVP21 | Dioda impulsowa | Ultra CEMI |
| 248563 | BAW100 | Silikon-Schaltung Diode Reihe für hig... | Infineon |
| 248564 | BAW100 | Silikon-Schaltung Diode Reihe (für Schnellschaltung elektrisch Isolierdioden) | Siemens |
| 248565 | BAW100 | SMD Schaltung Diode Doppel | Central Semiconductor |
| 248566 | BAW101 | Universelle Dioden - Silikon-Schaltung Diode Reihe mit mittleren Geschwindigkeits- Dioden | Infineon |
| 248567 | BAW101 | Silikon-Schaltung Diode Reihe (elektrisch Isoliermittlere Geschwindigkeits- Hochspannungsdioden) | Siemens |
| 248568 | BAW101 | DOPPEL-, LOKALISIERTE HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODEN | Central Semiconductor |
| 248569 | BAW101 | BAW101; Hochspannungsdoppeldiode | Philips |
| 248570 | BAW101 | / VERDOPPELN, LOKALISIERTE HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODEN | Central Semiconductor |
| 248571 | BAW101 | Hochspannungs-Doppeldiode | NXP Semiconductors |
| 248572 | BAW101 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248573 | BAW101-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248574 | BAW101S | Hochspannungsdoppeldiode | Philips |
| 248575 | BAW101S | BAW101S; Hochspannungsdoppeldiode | Philips |
| 248576 | BAW101S | Hochspannungs-Doppeldiode | NXP Semiconductors |
| 248577 | BAW101S | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248578 | BAW101S-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248579 | BAW101V | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248580 | BAW101V-7 | Discrete - Dioden (Weniger als 0,5 A) - Schaltdioden | Diodes |
| 248581 | BAW156 | Niedrig-Durchsickern Doppeldiode | Philips |
| 248582 | BAW156 | Schaltung Dioden | Diodes |
| 248583 | BAW156 | Universelle Dioden - Silikon-Niedrige Durchsickern-Diode Reihe | Infineon |
| 248584 | BAW156 | Silikon-niedrige Durchsickern-Diode Reihe (Niedrig-Durchsickern Anwendungen setzt mittlere Geschwindigkeit Schaltung Zeit allgemeinen Anode fest) | Siemens |
| 248585 | BAW156 | Low-Leakage-Doppeldiode | NXP Semiconductors |
| 248586 | BAW156-7-F | Schaltdioden | Diodes |
| 248587 | BAW156LT1 | Monolithische Doppelschaltung Diode | Leshan Radio Company |
| 248588 | BAW156T | Schaltung Dioden | Diodes |
| 248589 | BAW156T-7-F | Schaltdioden | Diodes |
| 248590 | BAW222 | Dioden für Schnellschaltung Anwendungen | Infineon |
| 248591 | BAW27 | Schaltung Diode | Vishay |
| 248592 | BAW56 | Schnelldoppeldiode | Philips |
| 248593 | BAW56 | Hohe Leitfähigkeit-Ultra Schnelle Diode | National Semiconductor |
| 248594 | BAW56 | Kleine Signal-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248595 | BAW56 | Dioden > JEDEC Standard-u. Euro-Standarddioden > Aufputzmontageart | ROHM |
| 248596 | BAW56 | Doppelschaltung Diode | Vishay |
| 248597 | BAW56 | SCHALTUNG DIODE PAAR-COMMON-ANODE DES SILIKON-SOT23 PLANARE SCHNELL | Zetex Semiconductors |
| 248598 | BAW56 | Schaltung Dioden | Diodes |
| 248599 | BAW56 | Kleine Signal-Dioden | General Semiconductor |
| 248600 | BAW56 | Universelle Dioden - Silikon-Schaltung Diode Reihe mit allgemeiner Kathode | Infineon |
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