| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 252241 | BC856AT | PNP Zwecktransistoren | Philips |
| 252242 | BC856AT | PNP Zwecktransistoren | Philips |
| 252243 | BC856AT | SMD Kleiner Universeller Zweck Amplifier/Switch Des Signal-Transistor-PNP | Central Semiconductor |
| 252244 | BC856AT | PNP Silikon Af Transistor | Infineon |
| 252245 | BC856AT | PNP Zwecktransistoren | NXP Semiconductors |
| 252246 | BC856AW | PNP Zwecktransistoren | Philips |
| 252247 | BC856AW | PNP Zwecktransistoren | Philips |
| 252248 | BC856AW | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 252249 | BC856AW | Universelle Transistoren - Paket SOT323 | Infineon |
| 252250 | BC856AW | PNP Silikon AF Transistoren (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 252251 | BC856AW | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252252 | BC856AW | PNP Zwecktransistoren | NXP Semiconductors |
| 252253 | BC856AW | PNP-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 252254 | BC856AW-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
| 252255 | BC856AW-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 252256 | BC856AW-G | Kleiner Signal-Transistor, V CBO = -80 V, V CEO = -65V, V EBO = -5 V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252257 | BC856AWT1 | Universelles Transistors(PNP Silikon) | Leshan Radio Company |
| 252258 | BC856AWT1 | FALL 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 252259 | BC856AWT1-D | Universelles Silikon Der Transistor-PNP | ON Semiconductor |
| 252260 | BC856B | NPN Zwecktransistoren | Philips |
| 252261 | BC856B | NPN Zwecktransistoren | Philips |
| 252262 | BC856B | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Zetex Semiconductors |
| 252263 | BC856B | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 252264 | BC856B | Kleine Signal-Transistoren (PNP) | General Semiconductor |
| 252265 | BC856B | Universelle Transistoren - Paket SOT23 | Infineon |
| 252266 | BC856B | PNP Silikon AF Transistoren (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 252267 | BC856B | PNP Kleiner Signal-Transistor 310mW | Micro Commercial Components |
| 252268 | BC856B | SMD Kleine Niedrige Geräusche Des Signal-Transistor-PNP | Central Semiconductor |
| 252269 | BC856B | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 252270 | BC856B | Universelle Verdoppelungtransistoren | ON Semiconductor |
| 252271 | BC856B | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 252272 | BC856B | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252273 | BC856B | PNP Zwecktransistoren | NXP Semiconductors |
| 252274 | BC856B | 0.250W General Purpose PNP SMD-Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 220-475 hFE. Ergänzende BC846B | Continental Device India Limited |
| 252275 | BC856B | PNP-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 252276 | BC856B | Ic = 100mA, VCE = 5,0V Transistor | MCC |
| 252277 | BC856B | 80 V, PNP Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 252278 | BC856B | 80 V, PNP Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRSYS |
| 252279 | BC856B(Z) | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE Zwecktransistoren | Diodes |
| 252280 | BC856B-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
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