Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
259161 | BF423 | PNP SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
259162 | BF423 | PNP Silikon-Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung) | Siemens |
259163 | BF423 | PNP Silikon-Transistor (Hochspannungsanwendung Monitor-Ausrüstung Anwendung) | AUK Corp |
259164 | BF423 | Hochspannungstransistors(PNP) | Motorola |
259165 | BF423 | Transistor-Silikon-Plastik PNP | ON Semiconductor |
259166 | BF423 | 0.800W High Voltage PNP Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 0,500A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
259167 | BF423L | PNP Hochspannungstransistoren | Philips |
259168 | BF423RL1 | High Voltage Transistor PNP | ON Semiconductor |
259169 | BF423ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik PNP | ON Semiconductor |
259170 | BF440 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259171 | BF441 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259172 | BF450 | PNP mittlerer Frequenztransistor | Philips |
259173 | BF457 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259174 | BF457 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
259175 | BF457 | HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
259176 | BF457 | 10.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 160V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
259177 | BF457 | HIGH VOLTAGE Video Verstärker | SGS Thomson Microelectronics |
259178 | BF458 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
259179 | BF458 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
259180 | BF458 | HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
259181 | BF458 | 10.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
259182 | BF458 | Transistor-Leistungs | SGS Thomson Microelectronics |
259183 | BF459 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259184 | BF459 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
259185 | BF459 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
259186 | BF459 | HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
259187 | BF459 | 10.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
259188 | BF459 | Transistorpolung NPN Spannung VCEO 300 V Strom Ic av. 0,1 A Strom Ptot 6 W | SGS Thomson Microelectronics |
259189 | BF469 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259190 | BF469 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
259191 | BF469 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
259192 | BF469 | 2.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Ergänzende BF470 | Continental Device India Limited |
259193 | BF470 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
259194 | BF470 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
259195 | BF470 | PNP Hochspannungstransistoren | Philips |
259196 | BF470 | 2.000W Medium Power PNP Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Ergänzende BF469 | Continental Device India Limited |
259197 | BF471 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
259198 | BF471 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
259199 | BF471 | 2.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0.030A Ic, 50 hFE. Ergänzende BF472 | Continental Device India Limited |
259200 | BF472 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
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