| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 268961 | BSS8402DW-13-F | Komplementäres Paar Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268962 | BSS8402DW-7 | ERGÄNZENDER PAAR-VERBESSERUNG MODUS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Diodes |
| 268963 | BSS8402DW-7-F | Komplementäres Paar Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268964 | BSS8402DWK | Komplementäres Paar Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268965 | BSS8402DWQ-13 | Komplementäres Paar Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268966 | BSS8402DWQ-7 | Komplementäres Paar Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268967 | BSS84AK | 50 V, 180 mA P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268968 | BSS84AKM | 50 V, 230 mA P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268969 | BSS84AKMB | 50 V, Single P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268970 | BSS84AKS | 50 V, 160 mA Dual P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268971 | BSS84AKT | 50 V, 150 mA P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268972 | BSS84AKV | 50 V, 170 mA Dual P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268973 | BSS84AKW | 50 V, 150 mA P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 268974 | BSS84DW | MOSFETS | Diodes |
| 268975 | BSS84DW-7-F | DUAL P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET | Diodes |
| 268976 | BSS84L | Energie MOSFET 130 mAmps, 50 Volt | ON Semiconductor |
| 268977 | BSS84LT1 | Energie MOSFET 130 mAmps, 50 Volt | ON Semiconductor |
| 268978 | BSS84LT1-D | Treiben Sie MOSFET 130 mAmps, 50 Volt P-Führung SOT-23 an | ON Semiconductor |
| 268979 | BSS84LT1G | Energie MOSFET 130 mAmps, 50 Volt | ON Semiconductor |
| 268980 | BSS84P | Niederspannung MOSFETs - Kleiner Signal Mosfet, -60V, SOT-23, RDSon = 8 | Infineon |
| 268981 | BSS84P | P-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268982 | BSS84PW | Niederspannung MOSFETs - Kleiner Signal Mosfet, -60V, SOT-323, RDSon = 8 | Infineon |
| 268983 | BSS84V | DUAL P-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistors | Diodes |
| 268984 | BSS84V-7 | DUAL P-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistors | Diodes |
| 268985 | BSS84W | MOSFETS | Diodes |
| 268986 | BSS84W-7-F | P-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistors | Diodes |
| 268987 | BSS87 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268988 | BSS87 | Niederspannung MOSFETs - Kleiner Signal Mosfet, 240V, SOT-89, RDSon=6.0 Ohm, 0.29A, LL | Infineon |
| 268989 | BSS87 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268990 | BSS87 | N-Kanal vertikaler D-MOS-FET-Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268991 | BSS88 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268992 | BSS88 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268993 | BSS88E6288 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268994 | BSS88E6296 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268995 | BSS88E6325 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268996 | BSS88E7740 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268997 | BSS89 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268998 | BSS89 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268999 | BSS89 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 269000 | BSS89E6288 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
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