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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
300481CD22103ACmos HDB3 hohe Dichte zweipolige 3 Transcoder für Anwendungen des Getriebe-2.048/8.448Mb/sIntersil
300482CD22103ADCmos HDB3 hohe Dichte zweipolige 3 Transcoder für Anwendungen des Getriebe-2.048/8.448Mb/sIntersil
300483CD22103AECmos HDB3 hohe Dichte zweipolige 3 Transcoder für Anwendungen des Getriebe-2.048/8.448Mb/sIntersil
300484CD222025V Niedriger Energie DTMF EmpfängerIntersil
300485CD22202E5V Niedriger Energie DTMF EmpfängerIntersil
300486CD222035V Niedriger Energie DTMF EmpfängerIntersil
300487CD22203E5V Niedriger Energie DTMF EmpfängerIntersil
300488CD22204Niedriger Empfänger Des Energie 5V Teilnehmer-DTMFIntersil
300489CD22204ENiedriger Empfänger Des Energie 5V Teilnehmer-DTMFIntersil
300490CD22204E5V niedriger Stromteilnehmer DTMF-EmpfängerHarris Semiconductor
300491CD22204M5V niedriger Stromteilnehmer DTMF-EmpfängerHarris Semiconductor
300492CD22301Monolithisches PCM VerstärkerIntersil
300493CD22301EMonolithisches PCM VerstärkerIntersil
300494CD22354ACmos Single-Chip/ Voll-Eigenschaft PCM CODECIntersil
300495CD22354AECmos Single-Chip/ Voll-Eigenschaft PCM CODECIntersil
300496CD22357ACmos Single-Chip/ Voll-Eigenschaft PCM CODECIntersil
300497CD22357AECmos Single-Chip/ Voll-Eigenschaft PCM CODECIntersil
300498CD22402Synchronisierung Generator für Fernsehapparat Anwendungen und video VerarbeitungssystemeIntersil
300499CD22402DSynchronisierung Generator für Fernsehapparat Anwendungen und video VerarbeitungssystemeIntersil



300500CD22402DSync-Generator für TV-Anwendungen und Video-VerarbeitungssystemeHarris Semiconductor
300501CD22402ESynchronisierung Generator für Fernsehapparat Anwendungen und video VerarbeitungssystemeIntersil
300502CD22402ESync-Generator für TV-Anwendungen und Video-VerarbeitungssystemeHarris Semiconductor
300503CD22859Monolithischer Silikon COS/MOS Doppel-Ton Mehrfrequenzton-GeneratorIntersil
300504CD22859EMonolithischer Silikon COS/MOS Doppel-Ton Mehrfrequenzton-GeneratorIntersil
300505CD22M349312 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300506CD22M3493E12 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300507CD22M3493Q12 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300508CD22M3494Schalter, Schienenkreuzung, 16 X 8 X 1, BiMOS-EIntersil
300509CD22M3494Schalter, Schienenkreuzung, 16 X 8 X 1, BiMOS-EIntersil
300510CD22M3494E16 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300511CD22M3494MQ16 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300512CD22M3494SQ16 x 8 x 1 BiMOS-E Schienenkreuzung-SchalterIntersil
300513CD2315NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTORAdvanced Semiconductor
300514CD2328A0.750W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 1.500A Ic, 100-320 hFEContinental Device India Limited
300515CD23310.900W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.700A Ic, 40-240 hFEContinental Device India Limited
300516CD2331O0.900W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.700A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
300517CD2331R0.900W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.700A Ic, 40-80 hFEContinental Device India Limited
300518CD2331Y0.900W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.700A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
300519CD23830.700W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 160V Vceo, 1.000A Ic, 60-320 hFEContinental Device India Limited
300520CD2383O0.700W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 160V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
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