Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
42881 | 28LV256PC-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42882 | 28LV256PC-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42883 | 28LV256PC-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42884 | 28LV256PC-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42885 | 28LV256PC-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42886 | 28LV256PI-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42887 | 28LV256PI-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42888 | 28LV256PI-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42889 | 28LV256PI-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42890 | 28LV256PI-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42891 | 28LV256PI-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42892 | 28LV256PI-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42893 | 28LV256PI-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42894 | 28LV256PM-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42895 | 28LV256PM-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42896 | 28LV256PM-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42897 | 28LV256PM-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42898 | 28LV256PM-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42899 | 28LV256PM-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42900 | 28LV256PM-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42901 | 28LV256PM-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42902 | 28LV256SC-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42903 | 28LV256SC-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42904 | 28LV256SC-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42905 | 28LV256SC-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42906 | 28LV256SC-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42907 | 28LV256SC-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42908 | 28LV256SC-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42909 | 28LV256SC-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42910 | 28LV256SI-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42911 | 28LV256SI-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42912 | 28LV256SI-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42913 | 28LV256SI-4 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 250 ns. | Turbo IC |
42914 | 28LV256SI-5 | Geschwindigkeit: 300 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42915 | 28LV256SI-5 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 300 ns. | Turbo IC |
42916 | 28LV256SI-6 | Geschwindigkeit: 400 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42917 | 28LV256SI-6 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit von 400 ns. | Turbo IC |
42918 | 28LV256SM-3 | Geschwindigkeit: 200 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
42919 | 28LV256SM-3 | Niederspannungs-CMOS. 256K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM. 32K x 8-Bit-EEPROM. Zugriffszeit 200 ns. | Turbo IC |
42920 | 28LV256SM-4 | Geschwindigkeit: 250 ns, Niederspannungs-CMOS 256 K elektrisch löschbaren programmierbaren ROM 32K x 8-Bit EEPROM | Turbo IC |
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