| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 52681 | 2SB955K | Dreifaches Des Silikon-PNP Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 52682 | 2SB956 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 52683 | 2SB962 | Silikontransistor | NEC |
| 52684 | 2SB962-Z | PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 52685 | 2SB963 | Darlington Transistor | NEC |
| 52686 | 2SB963-Z | EPITAXIAL- DARLINGTON TRANSISTOR MP-3 DES PNP SILIKON- | NEC |
| 52687 | 2SB966 | Silikon-Dreiergruppe Zerstreuter Transistor des PNP Silikon-Epitaxial/NPN | Unknow |
| 52688 | 2SB967 | Silikon PNP Epitaxial- planares type(For Niederfrequenzenergie Verstärkung) | Panasonic |
| 52689 | 2SB968 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Allgemein-Zweck Energie Verstärkung | Panasonic |
| 52690 | 2SB970 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 52691 | 2SB976 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 52692 | 2SB977 | 2SB970 Silikon PNP EPITAXIAL- PLANARES/2SB977 2SB977A Silikon PNP EPITAXIAL- PLANARES DARLINGTON/2SC1547 Silikon NPN PLANAR | Panasonic |
| 52693 | 2SB977A | 2SB970 Silikon PNP EPITAXIAL- PLANARES/2SB977 2SB977A Silikon PNP EPITAXIAL- PLANARES DARLINGTON/2SC1547 Silikon NPN PLANAR | Panasonic |
| 52694 | 2SB984 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 52695 | 2SB985 | PNP Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Groß-Gegenwärtige Treibende Anwendungen | SANYO |
| 52696 | 2SB986 | Schaltung Anwendungen der PNP Epitaxial- Planare Silikon Darlington Transistor-50V/4A | SANYO |
| 52697 | 2SBI345 | TRANSISTOREN | Unknow |
| 52698 | 2SC0828 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
| 52699 | 2SC0828A | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
| 52700 | 2SC0829 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
| 52701 | 2SC1008 | TRANSISTOR NPN | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 52702 | 2SC1008 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 52703 | 2SC1008 | TRANSISTOR NPN | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 52704 | 2SC1008 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 52705 | 2SC1008 | Niederfrequenzverstärkermedium Schaltgeschwindigkeit. Kollektor-Basisspannung VCBO = 80V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 60V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 8V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 800mW. Kollektorstrom Ic = 700mA. | USHA India LTD |
| 52706 | 2SC1009 | FM/AM Rf VERSTÄRKER, MISCHER, Oszillator, Konverter PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 52707 | 2SC1009 | Hochspannungsverstärker. Kollektor-Basis-Spannung = 160V VCBO. Kollektor-Emitter-Spannung = 140V Vceo. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 8V. Kollektor-Verlust PC (max) = 800mW. Kollektorstrom Ic = 700mA. | USHA India LTD |
| 52708 | 2SC1009A | FM/AM Rf VERSTÄRKER, MISCHER, Oszillator, Konverter PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 52709 | 2SC1009A-L | Silikontransistor | NEC |
| 52710 | 2SC1009A-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 52711 | 2SC1009A-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 52712 | 2SC1030 | SILIKON NPN TRASISTORS | JMnic |
| 52713 | 2SC1030 | SILIKON NPN TRASISTORS | JMnic |
| 52714 | 2SC1034 | 2SC1034 | SONY |
| 52715 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
| 52716 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
| 52717 | 2SC1047 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
| 52718 | 2SC1047 | Silikon Epitaxial- Planare Transistor(GENERAL BESCHREIBUNG) | Wing Shing Computer Components |
| 52719 | 2SC1050 | Silikon Epitaxial- Planare Transistor(GENERAL BESCHREIBUNG) | Wing Shing Computer Components |
| 52720 | 2SC1060 | Niederfrequenzergänzendes Paar DES ENDVERSTÄRKERS mit2SA670 und 2SA671 | Unknow |
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