| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 59841 | 2SK1023-01 | N FÜHRUNG SILIKON-ENERGIE Mosfet | Fuji Electric |
| 59842 | 2SK1023-01 | N FÜHRUNG SILIKON-ENERGIE Mosfet | Fuji Electric |
| 59843 | 2SK1024-01 | N FÜHRUNG SILIKON-ENERGIE Mosfet | Fuji Electric |
| 59844 | 2SK1024-01 | N FÜHRUNG SILIKON-ENERGIE Mosfet | Fuji Electric |
| 59845 | 2SK1028 | N LENKEN MOS ART (Rf ENERGIE MOS FET für VHF Fernsehapparat SENDUNG ÜBERMITTLER | TOSHIBA |
| 59846 | 2SK1030 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 59847 | 2SK1030A | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 59848 | 2SK1033 | Silikon-N-Kanal-Power-F-MOS-FET | Panasonic |
| 59849 | 2SK1034 | Silikon-N-Kanal-Power-F-MOS-FET | Panasonic |
| 59850 | 2SK1035 | FÜHRUNG ENERGIE F Des SILIKON-N Mosfet | Panasonic |
| 59851 | 2SK1035 | FÜHRUNG ENERGIE F Des SILIKON-N Mosfet | Panasonic |
| 59852 | 2SK1036 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS | Panasonic |
| 59853 | 2SK105 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 59854 | 2SK1052 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 59855 | 2SK1053 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 59856 | 2SK1056 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 59857 | 2SK1056 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59858 | 2SK1056 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59859 | 2SK1057 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 59860 | 2SK1057 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59861 | 2SK1057 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59862 | 2SK1058 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 59863 | 2SK1058 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59864 | 2SK1058 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59865 | 2SK1061 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Schnittstelle Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 59866 | 2SK1062 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Schnittstelle Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 59867 | 2SK1065 | Hoch-Frequenz Allgemein-Zweck Ampere Anwendungen | SANYO |
| 59868 | 2SK1066 | Hoch-Frequenz Allgemein-Zweck Ampere Anwendungen | SANYO |
| 59869 | 2SK1067 | N-Führung Silikon Mosfet FM Tuner, VHF-Band Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 59870 | 2SK1068 | Widerstand-Umwandlung Anwendungen | SANYO |
| 59871 | 2SK1069 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 59872 | 2SK1070 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 59873 | 2SK1070 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
| 59874 | 2SK1070 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 59875 | 2SK1081-01 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59876 | 2SK1081-01 | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 59877 | 2SK1082 | N-Führung Silikon-Energie Mos-FET | Fuji Electric |
| 59878 | 2SK1082-01 | N-Führung Silikon-Energie Mos-FET | Fuji Electric |
| 59879 | 2SK1083 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 59880 | 2SK1083-MR | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
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