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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
611721KM68V1000BLGI-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611722KM68V1000BLGI-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611723KM68V1000BLGI-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611724KM68V1000BLI128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611725KM68V1000BLI/LI-L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611726KM68V1000BLR-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611727KM68V1000BLR-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611728KM68V1000BLR-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611729KM68V1000BLR-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611730KM68V1000BLRE-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611731KM68V1000BLRE-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611732KM68V1000BLRE-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611733KM68V1000BLRE-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611734KM68V1000BLRI-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611735KM68V1000BLRI-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611736KM68V1000BLRI-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611737KM68V1000BLRI-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611738KM68V1000BLT-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic



611739KM68V1000BLT-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611740KM68V1000BLT-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611741KM68V1000BLT-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611742KM68V1000BLTE-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611743KM68V1000BLTE-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611744KM68V1000BLTE-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611745KM68V1000BLTE-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611746KM68V1000BLTI-10128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611747KM68V1000BLTI-10L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611748KM68V1000BLTI-7128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611749KM68V1000BLTI-7L128K x 8bit niedrige Energie und Niederspannung CMOS Statinc RAMSamsung Electronic
611750KM7101Ultra-Niedrige Kosten, 136uA, 4.9MHz Schiene-zu-Schiene I/O VerstärkerFairchild Semiconductor
611751KM7101IT5Ultra-Niedrige Kosten, 139A, +2.7V, 4.9MHz Schiene-zu-Schiene I/O VerstärkerFairchild Semiconductor
611752KM7101IT5TR3RRIO VerstärkerFairchild Semiconductor
611753KM718FV4021H-5128Kx36 U. 256Kx18 Synchrones Durch Rohre geleitetes SRAMSamsung Electronic
611754KM718FV4021H-6128Kx36 U. 256Kx18 Synchrones Durch Rohre geleitetes SRAMSamsung Electronic
611755KM718FV4021H-7128Kx36 U. 256Kx18 Synchrones Durch Rohre geleitetes SRAMSamsung Electronic
611756KM718V089512Kx36 U. 1Mx18 Synchrones SRAMSamsung Electronic
611757KM718V887256Kx18 Synchrones SRAMSamsung Electronic
611758KM718V987256Kx36Samsung Electronic
611759KM736FV4021128Kx36 U. 256Kx18 Synchrones Durch Rohre geleitetes SRAMSamsung Electronic
611760KM736FV4021H-5128Kx36 U. 256Kx18 Synchrones Durch Rohre geleitetes SRAMSamsung Electronic
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