| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 62121 | 2SK3078A | Fangen Sie Führung MOS Art VHF/UHF Band-Verstärker-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 62122 | 2SK3079 | FANGEN Sie FÜHRUNG MOS ART DES EFFEKT-TRANSISTOR-SILIKON-N Das 900 MHZ BAND-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN auf (G/M) | TOSHIBA |
| 62123 | 2SK3079A | Fangen Sie Führung MOS Art Des Effekt-Transistor-Silikon-N Das 470 MHZ Band-Verstärker-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 62124 | 2SK3080 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 62125 | 2SK3081 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 62126 | 2SK3081 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62127 | 2SK3082 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 62128 | 2SK3082L | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 62129 | 2SK3082L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62130 | 2SK3082S | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 62131 | 2SK3082S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 62132 | 2SK3084 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N(U-MOS) Zerhacker-Regler DC DC Konverter und Bewegungs-AntriebAnwendungen auf | TOSHIBA |
| 62133 | 2SK3085 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSV) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 62134 | 2SK3089 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSVI) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 62135 | 2SK3090 | Fangen Sie Führung MOS Art des Effekt-Transistor-Silikon-N (PU-MOSVI) Zerhacker-Regler, DC DC Konverter und Bewegungs-Antrieb Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 62136 | 2SK3092 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 62137 | 2SK3098 | N FÜHRUNG MOS SILIKON-TRANSISTOR | SANYO |
| 62138 | 2SK30ATM | Fangen Sie Führung Verzweigung Art des Effekt-Transistor-Silikon-N niedriger Geräusch-Vorverstärker, Ton-Steuerverstärker und DC-AC hohe Eingang Widerstand-Verstärker-Stromkreis-Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 62139 | 2SK310 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
| 62140 | 2SK310 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
| 62141 | 2SK3101LS | Hohe Ausgang MOSFETs | SANYO |
| 62142 | 2SK3105 | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 62143 | 2SK3105-T1B | Nch-Anreicherungstyp-MOS-FET | NEC |
| 62144 | 2SK3105-T2B | Nch-Anreicherungstyp-MOS-FET | NEC |
| 62145 | 2SK3107 | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG auf | NEC |
| 62146 | 2SK3107-T1 | Nch-Anreicherungstyp-MOS-FET | NEC |
| 62147 | 2SK3107-T2 | Nch-Anreicherungstyp-MOS-FET | NEC |
| 62148 | 2SK3108 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62149 | 2SK3109 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62150 | 2SK3109-S | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62151 | 2SK3109-Z | MOS FET | NEC |
| 62152 | 2SK3109-ZJ | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62153 | 2SK311 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
| 62154 | 2SK311 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
| 62155 | 2SK3110 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62156 | 2SK3111 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62157 | 2SK3111-S | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62158 | 2SK3111-Z | MOS FET | NEC |
| 62159 | 2SK3111-ZJ | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 62160 | 2SK3112 | MOS FET | NEC |
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