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Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
623121	L8411	HOHE ENERGIE QUASI-CW LASER DIODE	Hamamatsu Corporation
623122	L8413	HOHE ENERGIE NACH RECHTS Laser DIODE mit PELTIER-COOLING	Hamamatsu Corporation
623123	L8414-04	SLD (Lumineszierende Superdiode)	Hamamatsu Corporation
623124	L8446-04	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623125	L8446-06	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623126	L8446-07	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623127	L8446-41	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623128	L8446-42	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623129	L8446-61	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623130	L8446-62	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623131	L8446-71	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623132	L8446-72	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623133	L8506	Infrarot-LED	Hamamatsu Corporation
623134	L8560	Niedrig-Energie SLIC mit dem Klingeln	Agere Systems
623135	L8567	SLIC für Volksrepublik China Anwendungen	Agere Systems
623136	L8574D	L8574D widerstrebendes Teilnehmerleitungsschnittstelle Circuit(SLIC), Ring-Relais und Protector(SRP)for lange Schleife und Anwendungen TR-57	Agere Systems
623137	L8575	Doppel-Widerstrebend, Niedrig-Kosten TeilnehmercLeitungsschnittstelle Circuit(SLIC)	Agere Systems
623138	L8576B	Doppelschellenslic	Agere Systems
623139	L8601-01	90KV MICROFOCUS RÖNTGENSTRAHL-QUELLE	Hamamatsu Corporation

623140	L8701P	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623141	L8711P	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623142	L8721P	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623143	L8763-04	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623144	L8763-06	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623145	L8763-07	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623146	L8763-41	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623147	L8763-42	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623148	L8763-61	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623149	L8763-62	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623150	L8763-71	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623151	L8763-72	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623152	L88016	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623153	L8801P	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623154	L8821P	SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE LDMOS TRANSISTOR	Polyfet RF Devices
623155	L8828-04	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623156	L8828-06	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623157	L8828-07	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623158	L8828-41	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623159	L8828-42	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation
623160	L8828-61	NACH RECHTS LASER DIODEN	Hamamatsu Corporation

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