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| Datenblaetter Gefunden :: 2913 | 
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| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1 | 13003BR | DREIERGRUPPE ZERSTREUTE NPN TRANSISTOR(SWITCHING REGLER-, HOCHSPANNUNG-UND GESCHWINDIGKEIT-SCHALTUNG) | Korea Electronics (KEC) |
| 2 | 278R12 | ZWEIPOLIGE LINEARE INTEGRIERTE SCHALTUNG (4 TERMINAL2A OUTPUT NIEDRIGER TROPFEN-SPANNUNG REGLER) | Korea Electronics (KEC) |
| 3 | 2N2904E | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 4 | 2N2906E | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 5 | 2N3904 | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 6 | 2N3904C | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 7 | 2N3904S | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 8 | 2N3904U | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 9 | 2N3906 | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 10 | 2N3906C | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 11 | 2N3906S | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 12 | 2N3906U | Schaltung Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 13 | 2N5400 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 14 | 2N5400S | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 15 | 2N5401 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 16 | 2N5401C | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 17 | 2N5401S | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 18 | 2N5550 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 19 | 2N5550S | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 20 | 2N5551 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 21 | 2N5551C | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 22 | 2N5551S | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 23 | 2SA1266 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 24 | 2SA1266L | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 25 | 2SA1270 | Transistoren | Korea Electronics (KEC) |
| 26 | 2SA1271 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 27 | 2SA1271 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 28 | 2SA1273 | Transistor Epitaxial- Planarer Type(PCT Des Silikon-PNP PROZESS) | Korea Electronics (KEC) |
| 29 | 2SC3198 | Transistoren | Korea Electronics (KEC) |
| 30 | 2SC3198L | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 31 | 2SC3198L | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 32 | 2SC3198L | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 33 | 2SC3200 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 34 | 2SC3200 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 35 | 2SC3200 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 36 | 2SC3201 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 37 | 2SC3201 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 38 | 2SC3201 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 39 | 2SC3202 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 40 | 2SC3202 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 41 | 2SC3202 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 42 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 43 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 44 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 45 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 46 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 47 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
| 48 | 7429 | SPANNUNG DETEKTOR | Korea Electronics (KEC) |
| 49 | 7805 | DREI POSITIVE SPANNUNG AM ENDEREGLER | Korea Electronics (KEC) |
| 50 | A223 | EPITAXIAL- PLANARER PNP TRANSISTOR (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG SCHNITTSTELLENLEITUNG UND TREIBER-STROMKREIS) | Korea Electronics (KEC) |
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