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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
24201M29DW128F70ZA1T128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
24202M29DW128F70ZA6128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
24203M29DW128F70ZA6E128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
24204M29DW128F70ZA6F128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
24205M29DW128F70ZA6T128 Mbit (16Mb x8 oder 8Mb x16, mehrfache Bank, Seite, AufladungBlock) 3V Versorgungsmaterial, grelles GedächtnisST Microelectronics
24206M29DW323GRELLE NOCH HOHE DICHTE U. VERBRAUCHERST Microelectronics
24207M29DW323DBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24208M29DW323DB70N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24209M29DW323DB70N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24210M29DW323DB70N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics



24211M29DW323DB70N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24212M29DW323DB70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24213M29DW323DB70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24214M29DW323DB70N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24215M29DW323DB70N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24216M29DW323DB70ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24217M29DW323DB70ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24218M29DW323DB70ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24219M29DW323DB70ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24220M29DW323DB70ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24221M29DW323DB70ZA6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24222M29DW323DB70ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24223M29DW323DB70ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24224M29DW323DB70ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24225M29DW323DB70ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24226M29DW323DB70ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24227M29DW323DB70ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24228M29DW323DB70ZE6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24229M29DW323DB70ZE6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24230M29DW323DB70ZE6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24231M29DW323DB70ZE6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24232M29DW323DB90N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24233M29DW323DB90N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24234M29DW323DB90N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24235M29DW323DB90N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24236M29DW323DB90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24237M29DW323DB90N6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24238M29DW323DB90N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24239M29DW323DB90N6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24240M29DW323DB90ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24241M29DW323DB90ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24242M29DW323DB90ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24243M29DW323DB90ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24244M29DW323DB90ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24245M29DW323DB90ZA6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24246M29DW323DB90ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24247M29DW323DB90ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24248M29DW323DB90ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24249M29DW323DB90ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24250M29DW323DB90ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24251M29DW323DB90ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24252M29DW323DB90ZE632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24253M29DW323DB90ZE6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24254M29DW323DB90ZE6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24255M29DW323DB90ZE6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24256M29DW323DTBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24257M29DW323DT70N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24258M29DW323DT70N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24259M29DW323DT70N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24260M29DW323DT70N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24261M29DW323DT70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24262M29DW323DT70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24263M29DW323DT70N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24264M29DW323DT70N6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24265M29DW323DT70ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24266M29DW323DT70ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24267M29DW323DT70ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24268M29DW323DT70ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24269M29DW323DT70ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24270M29DW323DT70ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24271M29DW323DT70ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24272M29DW323DT70ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24273M29DW323DT70ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24274M29DW323DT70ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24275M29DW323DT70ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24276M29DW323DT70ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24277M29DW323DT70ZE6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24278M29DW323DT70ZE6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
24279M29DW323DT70ZE6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24280M29DW323DT70ZE6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24281M29DW323DT90N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24282M29DW323DT90N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24283M29DW323DT90N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24284M29DW323DT90N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24285M29DW323DT90N632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24286M29DW323DT90N6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24287M29DW323DT90N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24288M29DW323DT90N6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24289M29DW323DT90ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24290M29DW323DT90ZA1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24291M29DW323DT90ZA1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24292M29DW323DT90ZA1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24293M29DW323DT90ZA632 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24294M29DW323DT90ZA6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24295M29DW323DT90ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24296M29DW323DT90ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24297M29DW323DT90ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24298M29DW323DT90ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24299M29DW323DT90ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
24300M29DW323DT90ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics



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