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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
26101M29W040-200NZ1R4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26102M29W040-200NZ1TR4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26103M29W040-200NZ5R4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26104M29W040-200NZ5TR4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26105M29W040-200NZ6R4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26106M29W040-200NZ6TR4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26107M29W040B4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26108M29W040B120K1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26109M29W040B120K6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26110M29W040B120N1T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics



26111M29W040B120N6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26112M29W040B120NZ1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26113M29W040B120NZ6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26114M29W040B55K14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26115M29W040B55K1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26116M29W040B55K6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26117M29W040B55N14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26118M29W040B55N1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26119M29W040B55N6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26120M29W040B55NZ1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26121M29W040B55NZ6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26122M29W040B70K1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26123M29W040B70K6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26124M29W040B70N14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26125M29W040B70N1T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26126M29W040B70N6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26127M29W040B70NZ1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26128M29W040B70NZ6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26129M29W040B90K14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26130M29W040B90K1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26131M29W040B90K64 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26132M29W040B90K6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26133M29W040B90N14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26134M29W040B90N1T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26135M29W040B90N64 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26136M29W040B90N6T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26137M29W040B90NZ1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26138M29W040B90NZ6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26139M29W1021 Mbit 64Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26140M29W102BB1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26141M29W102BB50N11 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26142M29W102BB50N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26143M29W102BB50N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26144M29W102BB70N11 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26145M29W102BB70N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26146M29W102BB70N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26147M29W102BB90N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26148M29W102BB90N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26149M29W102BT1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26150M29W102BT50N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26151M29W102BT50N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26152M29W102BT70N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26153M29W102BT70N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26154M29W102BT90N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26155M29W102BT90N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26156M29W16016 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26157M29W160BBNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26158M29W160BB120M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26159M29W160BB120M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26160M29W160BB120N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26161M29W160BB120N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26162M29W160BB120ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26163M29W160BB120ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26164M29W160BB70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26165M29W160BB70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26166M29W160BB70N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26167M29W160BB70N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26168M29W160BB70ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26169M29W160BB70ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26170M29W160BB90M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26171M29W160BB90M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26172M29W160BB90N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26173M29W160BB90N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26174M29W160BB90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26175M29W160BB90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26176M29W160BTNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26177M29W160BT120M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26178M29W160BT120M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26179M29W160BT120N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26180M29W160BT120N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26181M29W160BT120ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26182M29W160BT120ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26183M29W160BT70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26184M29W160BT70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26185M29W160BT70N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26186M29W160BT70N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26187M29W160BT70ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26188M29W160BT70ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26189M29W160BT90M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26190M29W160BT90M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26191M29W160BT90N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26192M29W160BT90N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26193M29W160BT90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26194M29W160BT90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26195M29W160DBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26196M29W160DB70M1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26197M29W160DB70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26198M29W160DB70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26199M29W160DB70M6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26200M29W160DB70N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics



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