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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
26801M29W400DT55ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26802M29W400DT55ZA6EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26803M29W400DT55ZA6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26804M29W400DT55ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26805M29W400DT55ZE6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26806M29W400DT70M1EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26807M29W400DT70M1FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26808M29W400DT70M1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26809M29W400DT70M6EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26810M29W400DT70M6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics



26811M29W400DT70M6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26812M29W400DT70N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26813M29W400DT70N1EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26814M29W400DT70N1FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26815M29W400DT70N1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26816M29W400DT70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26817M29W400DT70N6EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26818M29W400DT70N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26819M29W400DT70N6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26820M29W400DT70ZA1EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26821M29W400DT70ZA1FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26822M29W400DT70ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26823M29W400DT70ZA6EBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26824M29W400DT70ZA6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26825M29W400DT70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26826M29W400TNICHT FÜR NEUES DESIGN - 4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26827M29W400T-100M1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26828M29W400T-100M1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26829M29W400T-100M5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26830M29W400T-100M5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26831M29W400T-100M6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26832M29W400T-100M6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26833M29W400T-100N1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26834M29W400T-100N1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26835M29W400T-100N5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26836M29W400T-100N5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26837M29W400T-100N6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26838M29W400T-100N6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26839M29W400T-100ZA1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26840M29W400T-100ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26841M29W400T-100ZA5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26842M29W400T-100ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26843M29W400T-100ZA6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26844M29W400T-100ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26845M29W400T-120M1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26846M29W400T-120M1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26847M29W400T-120M5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26848M29W400T-120M5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26849M29W400T-120M6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26850M29W400T-120M6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26851M29W400T-120N1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26852M29W400T-120N1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26853M29W400T-120N5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26854M29W400T-120N5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26855M29W400T-120N6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26856M29W400T-120N6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26857M29W400T-120ZA1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26858M29W400T-120ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26859M29W400T-120ZA5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26860M29W400T-120ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26861M29W400T-120ZA6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26862M29W400T-120ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26863M29W400T-150M1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26864M29W400T-150M1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26865M29W400T-150M5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26866M29W400T-150M5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26867M29W400T-150M6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26868M29W400T-150M6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26869M29W400T-150N1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26870M29W400T-150N1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26871M29W400T-150N5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26872M29W400T-150N5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26873M29W400T-150N6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26874M29W400T-150N6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26875M29W400T-150ZA1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26876M29W400T-150ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26877M29W400T-150ZA5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26878M29W400T-150ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26879M29W400T-150ZA6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26880M29W400T-150ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26881M29W400T-90M1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26882M29W400T-90M1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26883M29W400T-90M5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26884M29W400T-90M5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26885M29W400T-90M6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26886M29W400T-90M6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26887M29W400T-90N1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26888M29W400T-90N1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26889M29W400T-90N5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26890M29W400T-90N5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26891M29W400T-90N6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26892M29W400T-90N6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26893M29W400T-90ZA1R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26894M29W400T-90ZA1TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26895M29W400T-90ZA5R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26896M29W400T-90ZA5TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26897M29W400T-90ZA6R4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26898M29W400T-90ZA6TR4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26899M29W512B512 KBIT (64KB X8, HAUPTTEIL) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26900M29W512B120K1T512 Kbit 64Kb x8, MassencNiederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics



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