Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1005041 | PMT3012.0 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005042 | PMT3012.5 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005043 | PMT3013.0 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005044 | PMT3013.5 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005045 | PMT301350 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005046 | PMT301400 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005047 | PMT301500 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005048 | PMT301550 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005049 | PMT301600 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005050 | PMT301800 | Alta Velocidad, PROTECTORES de OLEADA De gran intensidad | Clare Inc |
1005051 | PMT760EN | 100 V MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
1005052 | PMV117EN | TrenchMOS(tm) micro realzó el FET del nivel de la lógica | Philips |
1005053 | PMV117EN | TrenchMOS(tm) micro realzó el FET del nivel de la lógica | Philips |
1005054 | PMV117EN | PMV117EN; los uTrenchMOS (tm) realzaron el FET del nivel de la lógica | Philips |
1005055 | PMV117EN | N-FET de canal de nivel lógico TrenchMOS | NXP Semiconductors |
1005056 | PMV130ENEA | 40 V, N-MOSFET de canal Trench | NXP Semiconductors |
1005057 | PMV160UP | 20 V, 1,2 A MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
1005058 | PMV170UN | 20 V, solo MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
1005059 | PMV185XN | 30 V, solo MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
1005060 | PMV213SN | FET estándar del nivel del uTrenchMOS(tm) | Philips |
1005061 | PMV213SN | TrenchMOS N-canal FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1005062 | PMV250EPEA | 40 V, P-MOSFET de canal Trench | NXP Semiconductors |
1005063 | PMV27UPE | 20 V, P-MOSFET de canal Trench | NXP Semiconductors |
1005064 | PMV30UN | FET del nivel ultra bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005065 | PMV30UN | FET del nivel ultra bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005066 | PMV30UN | PMV30UN; FET del nivel ultra bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005067 | PMV31XN | FET del nivel extremadamente bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005068 | PMV31XN | FET del nivel extremadamente bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005069 | PMV31XN | PMV31XN; FET del nivel extremadamente bajo de los uTrenchMOS (tm) | Philips |
1005070 | PMV31XN | TrenchMOS N-canal FET | NXP Semiconductors |
1005071 | PMV32UP | 20 V, 4 A MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
1005072 | PMV33UPE | 20 V, solo MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
1005073 | PMV40UN | Fet del nivel ultra bajo de TrenchMOS (tm) | Philips |
1005074 | PMV40UN | Fet del nivel ultra bajo de TrenchMOS (tm) | Philips |
1005075 | PMV40UN | PMV40UN; Fet del nivel ultra bajo de TrenchMOS (tm) | Philips |
1005076 | PMV45EN | el tm de los uTrenchMOS realzó el FET del nivel de la lógica | Philips |
1005077 | PMV48XP | 20 V, 3,5 A MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
1005078 | PMV48XPA | 20 V, P-MOSFET de canal Trench | NXP Semiconductors |
1005079 | PMV50UPE | 20 V, solo MOSFET de canal P Trench | NXP Semiconductors |
1005080 | PMV56XN | FET del nivel extremadamente bajo de los uTrenchmos (tm) | Philips |
| | | |