| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1021361 | PSMN020-30MLC | Canal N 30 V MOSFET nivel 18,1 mO lógica en LFPAK33 usando TrenchMOS Tecnología | NXP Semiconductors |
| 1021362 | PSMN022-30BL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 22,6 mO lógica en D2PAK | NXP Semiconductors |
| 1021363 | PSMN022-30PL | Canal N 30 V 22 nivel lógico mO MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1021364 | PSMN023-40YLC | Canal N 40 V 23mO MOSFET nivel lógico en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
| 1021365 | PSMN023-80LS | N-canal DFN3333-8 80 V 23 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021366 | PSMN025-100D | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021367 | PSMN025-100D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021368 | PSMN026-80YS | N-canal LFPAK 80 V 27,5 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021369 | PSMN027-100BS | N-canal 100V 26,8 mO MOSFET nivel estándar en D2PAK. | NXP Semiconductors |
| 1021370 | PSMN027-100PS | N-canal 100V 26,8 mO MOSFET nivel estándar en TO220. | NXP Semiconductors |
| 1021371 | PSMN027-100XS | N-canal 100V 26,8 mO MOSFET nivel estándar en TO220F (SOT186A) | NXP Semiconductors |
| 1021372 | PSMN028-100YS | N-canal 100V LFPAK 27,5 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021373 | PSMN030-150B | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021374 | PSMN030-150B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021375 | PSMN030-150P | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021376 | PSMN030-150P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021377 | PSMN030-60YS | N-canal LFPAK 60 V 24,7 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021378 | PSMN034-100BS | N-channel 100 V 34,5 mO MOSFET nivel estándar en D2PAK. | NXP Semiconductors |
| 1021379 | PSMN034-100PS | N-channel 100 V 34,5 mO MOSFET nivel estándar en TO220. | NXP Semiconductors |
| 1021380 | PSMN035-100LS | N-canal DFN3333-8 100 V 32 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021381 | PSMN035-150B | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1021382 | PSMN035-150B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021383 | PSMN035-150P | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1021384 | PSMN035-150P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021385 | PSMN038 | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1021386 | PSMN038-100K | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 1021387 | PSMN038-100K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021388 | PSMN038-100YL | Canal N MOSFET 100 V Nivel de 37,5 mO lógica en LFPAK56 | NXP Semiconductors |
| 1021389 | PSMN039-100YS | LFPAK canal N 100 V 39,5 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021390 | PSMN040-100MSE | N-channel 100 V 36,6 mO MOSFET nivel estándar en LFPAK33 diseñado específicamente para aplicaciones PoE de alta potencia | NXP Semiconductors |
| 1021391 | PSMN040-200W | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021392 | PSMN041-80YL | Canal N 80 V 41 mO MOSFET nivel lógico en LFPAK56 | NXP Semiconductors |
| 1021393 | PSMN045-80YS | N-canal LFPAK 80 V 45 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
| 1021394 | PSMN050-80BS | Canal N MOSFET nivel estándar de 80 V 46 mO en D2PAK | NXP Semiconductors |
| 1021395 | PSMN050-80PS | N-canal V 46 mO MOSFET Nivel Medio 80 | NXP Semiconductors |
| 1021396 | PSMN057-200B | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021397 | PSMN057-200B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021398 | PSMN057-200P | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 1021399 | PSMN057-200P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
| 1021400 | PSMN059-150Y | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
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