Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1021401 | PSMN063-150 | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
1021402 | PSMN063-150D | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
1021403 | PSMN063-150D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021404 | PSMN069-100YS | LFPAK canal N 100 V 72,4 mO MOSFET Nivel Medio | NXP Semiconductors |
1021405 | PSMN070-200B | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
1021406 | PSMN070-200B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021407 | PSMN070-200P | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
1021408 | PSMN070-200P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021409 | PSMN075-100MSE | N-canal 100 V 71 mO MOSFET nivel estándar en LFPAK33 diseñado específicamente para aplicaciones PoE | NXP Semiconductors |
1021410 | PSMN085-150K | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
1021411 | PSMN085-150K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021412 | PSMN0R9-25YLC | Canal N 25 V MOSFET nivel 0,99 mO lógica en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021413 | PSMN0R9-30YLD | Canal N 30 V, 0,87 mO MOSFET nivel lógico en LFPAK56 usando NextPowerS3 Tecnología | NXP Semiconductors |
1021414 | PSMN102-200Y | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021415 | PSMN130-200D | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
1021416 | PSMN130-200D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021417 | PSMN155-200K | 200 V, N-canal de modo de mejora de efecto de campo transistor | Philips |
1021418 | PSMN165-200K | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
1021419 | PSMN165-200K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX FET nivel estándar | NXP Semiconductors |
1021420 | PSMN1R0-30YLC | Canal N 30 V MOSFET nivel 1,15 mO lógica en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021421 | PSMN1R0-30YLD | Canal N 30 V, 1,0 mO MOSFET nivel lógico en LFPAK56 usando NextPowerS3 Tecnología | NXP Semiconductors |
1021422 | PSMN1R1-25YLC | Canal N 25 V MOSFET nivel 1,15 mO lógica en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021423 | PSMN1R1-30EL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.3 mO lógica en I2PAK | NXP Semiconductors |
1021424 | PSMN1R1-30PL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.3 mO lógica en A-220 | NXP Semiconductors |
1021425 | PSMN1R1-40BS | Canal N 40 V 1,3 mO MOSFET nivel estándar en D2PAK | NXP Semiconductors |
1021426 | PSMN1R2-25YL | N-MOSFET de canal de 25 V Nivel de 1.2 mO lógica en LFPAK | NXP Semiconductors |
1021427 | PSMN1R2-25YLC | Canal N 25 V MOSFET nivel 1,3 mO lógica en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021428 | PSMN1R2-30YLC | Canal N 30 V 1.25mO MOSFET nivel lógico en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021429 | PSMN1R2-30YLD | Canal N 30 V, 1,2 mO MOSFET nivel lógico en LFPAK56 usando NextPowerS3 Tecnología | NXP Semiconductors |
1021430 | PSMN1R3-30YL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.3 mO lógica en LFPAK | NXP Semiconductors |
1021431 | PSMN1R4-30YLD | Canal N 30 V, 1,4 mO MOSFET nivel lógico en LFPAK56 usando NextPowerS3 Tecnología | NXP Semiconductors |
1021432 | PSMN1R4-40YLD | Canal N 40 V MOSFET nivel 1,4 mO lógica en LFPAK56 utilizando tecnología NextPower-S3 | NXP Semiconductors |
1021433 | PSMN1R5-25YL | N-FET de canal de nivel lógico TrenchMOS | NXP Semiconductors |
1021434 | PSMN1R5-30BLE | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.5 mO lógica en D2PAK | NXP Semiconductors |
1021435 | PSMN1R5-30YL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.5 mO lógica en LFPAK | NXP Semiconductors |
1021436 | PSMN1R5-30YLC | Canal N 30 V 1.55mO MOSFET nivel lógico en LFPAK utilizando tecnología NextPower | NXP Semiconductors |
1021437 | PSMN1R5-40ES | Canal N 40 V 1,6 mO MOSFET nivel estándar en I2PAK. | NXP Semiconductors |
1021438 | PSMN1R5-40PS | Canal N 40 V 1,6 mO MOSFET nivel estándar en TO220 | NXP Semiconductors |
1021439 | PSMN1R6-30BL | N-MOSFET de canal 30 V Nivel de 1.9 mO lógica en D2PAK | NXP Semiconductors |
1021440 | PSMN1R6-30PL | Canal N 30 V Nivel de 1.7 mO lógica MOSFET | NXP Semiconductors |
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