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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1058161RN2106MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058162RN2107Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058163RN2107ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058164RN2107CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058165RN2107FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058166RN2107FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058167RN2107MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058168RN2108Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058169RN2108ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058170RN2108CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058171RN2108FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058172RN2108FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058173RN2108MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058174RN2109Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058175RN2109ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058176RN2109CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058177RN2109FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058178RN2109FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058179RN2109MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA



1058180RN2110Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058181RN2110ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058182RN2110CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058183RN2110FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058184RN2110FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058185RN2110MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058186RN2111Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058187RN2111ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058188RN2111CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058189RN2111FConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058190RN2111FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058191RN2111MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058192RN2112Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058193RN2112ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058194RN2112CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058195RN2112FConmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058196RN2112FTConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058197RN2112MFVResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058198RN2113Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductorTOSHIBA
1058199RN2113ACTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
1058200RN2113CTResistencia de polarización integrado transistor (BRT)TOSHIBA
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