Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1058161 | RN2106MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058162 | RN2107 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058163 | RN2107ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058164 | RN2107CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058165 | RN2107F | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058166 | RN2107FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058167 | RN2107MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058168 | RN2108 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058169 | RN2108ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058170 | RN2108CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058171 | RN2108F | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058172 | RN2108FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058173 | RN2108MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058174 | RN2109 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058175 | RN2109ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058176 | RN2109CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058177 | RN2109F | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058178 | RN2109FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058179 | RN2109MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058180 | RN2110 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058181 | RN2110ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058182 | RN2110CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058183 | RN2110F | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058184 | RN2110FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058185 | RN2110MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058186 | RN2111 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058187 | RN2111ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058188 | RN2111CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058189 | RN2111F | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058190 | RN2111FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058191 | RN2111MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058192 | RN2112 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058193 | RN2112ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058194 | RN2112CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058195 | RN2112F | Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
1058196 | RN2112FT | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
1058197 | RN2112MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058198 | RN2113 | Conmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor | TOSHIBA |
1058199 | RN2113ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
1058200 | RN2113CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
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