| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1214681 | TIP117F | Transistor De Darlington | Korea Electronics (KEC) |
| 1214682 | TIP117TU | Transistor Epitaxial De Darlington Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1214683 | TIP120 | Transistor Epitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214684 | TIP120 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 1214685 | TIP120 | ENERGÍA DARLINGTONS DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
| 1214686 | TIP120 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214687 | TIP120 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214688 | TIP120 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 60-100v, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 1214689 | TIP120 | Energía Darlingtons para los usos lineares y de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
| 1214690 | TIP120 | DARLINGTON TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 5 AMPERIOS | Motorola |
| 1214691 | TIP120 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 1214692 | TIP120 | . . . diseñado para el amplificador de uso general y los usos de poca velocidad de la conmutación. | ON Semiconductor |
| 1214693 | TIP120 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214694 | TIP120 | NPN (USOS LINEARES DE LA CONMUTACIÓN DE LA ENERGÍA MEDIA) | Samsung Electronic |
| 1214695 | TIP120 | 65.000W Darlington NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1214696 | TIP120 | 8A NPN Darlington transistor de potencia. 60V, 65W. | General Electric Solid State |
| 1214697 | TIP120 | Darlington del silicio de NPN transistor de potencia, 60V, 5A | Panasonic |
| 1214698 | TIP120 | 60 V, 5 A, 65 W, transistor de potencia de silicio conectado Darlington NPN | Texas Instruments |
| 1214699 | TIP120-D | Transistores Complementarios Del Silicio De la Medio-Energi'a Plástica | ON Semiconductor |
| 1214700 | TIP120A | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214701 | TIP120TU | Transistor Epitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214702 | TIP121 | Transistor Epitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214703 | TIP121 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 1214704 | TIP121 | ENERGÍA DARLINGTONS DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
| 1214705 | TIP121 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214706 | TIP121 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1214707 | TIP121 | ENERGÍA TRANSISTORS(5.0A, 60-100v, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 1214708 | TIP121 | Energía Darlingtons para los usos lineares y de la conmutación | Boca Semiconductor Corporation |
| 1214709 | TIP121 | DARLINGTON TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 5 AMPERIOS | Motorola |
| 1214710 | TIP121 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 1214711 | TIP121 | . . . diseñado para el amplificador de uso general y los usos de poca velocidad de la conmutación. | ON Semiconductor |
| 1214712 | TIP121 | PlanarTransistors Silicio-Si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 1214713 | TIP121 | 65.000W Darlington NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 5.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1214714 | TIP121 | 8A NPN Darlington transistor de potencia. 80V, 65W. | General Electric Solid State |
| 1214715 | TIP121 | Darlington del silicio de NPN transistor de potencia, 80V, 5A | Panasonic |
| 1214716 | TIP121 | 80 V, 5 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
| 1214717 | TIP121 | 80 V, 5 A, 65 W, transistor de potencia de silicio conectado Darlington NPN | Texas Instruments |
| 1214718 | TIP121 | NPN, silicio Darlington transistor de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de baja velocidad de propósito general. VCEO = 80VDC, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 5Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 1214719 | TIP121TU | Transistor Epitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 1214720 | TIP122 | Transistor Epitaxial de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
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