| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 248921 | BB1L3N-T/JM | Transistor híbrido | NEC |
| 248922 | BB1L3N/JM | Transistor híbrido | NEC |
| 248923 | BB200 | Diodo doble de la capacitancia variable de baja tensión | Philips |
| 248924 | BB201 | Diodo doble de la capacitancia variable de baja tensión | Philips |
| 248925 | BB201 | De baja tensión de capacidad variable doble diodo | NXP Semiconductors |
| 248926 | BB202 | Diodo variable de baja tensión de la capacitancia | Philips |
| 248927 | BB202 | Baja tensión del diodo de capacitancia variable | NXP Semiconductors |
| 248928 | BB204 | Diodos dobles de la capacitancia variable del VHF | Philips |
| 248929 | BB204B | Diodos dobles de la capacitancia variable del VHF | Philips |
| 248930 | BB204G | Diodos dobles de la capacitancia variable del VHF | Philips |
| 248931 | BB207 | Diodo doble de la capacitancia variable de FM | Philips |
| 248932 | BB207 | Baja tensión de capacidad variable doble diodo | NXP Semiconductors |
| 248933 | BB208-02 | Diodo variable de la capacitancia de la baja tensión | Philips |
| 248934 | BB208-02 | Bb208-02; Bb208-03; Diodo variable de la capacitancia de la baja tensión | Philips |
| 248935 | BB208-02 | Baja tensión del diodo de capacitancia variable | NXP Semiconductors |
| 248936 | BB208-03 | Diodo variable de la capacitancia de la baja tensión | Philips |
| 248937 | BB208-03 | Bb208-02; Bb208-03; Diodo variable de la capacitancia de la baja tensión | Philips |
| 248938 | BB208-03 | Baja tensión del diodo de capacitancia variable | NXP Semiconductors |
| 248939 | BB2110DI | REDES DEL ADAPTADOR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248940 | BB212 | Diodo doble de la capacitancia variable de la | Philips |
| 248941 | BB215 | Diodo variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la capacitancia | Philips |
| 248942 | BB221 | Diodos Del Sintonizador | Honey Technology |
| 248943 | BB221 | Diodo Planar Epitaxial De la Capacitancia Del Silicio | Semtech |
| 248944 | BB222 | Diodos Del Sintonizador | Honey Technology |
| 248945 | BB222 | Diodo Planar Epitaxial De la Capacitancia Del Silicio | Semtech |
| 248946 | BB25AH | Interruptores De botón De B | NKK |
| 248947 | BB301 | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248948 | BB301C | Estructura en predisponer el amplificador del VHF RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248949 | BB301C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248950 | BB301C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248951 | BB301M | Estructura en predisponer el amplificador del VHF RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248952 | BB301M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248953 | BB301M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248954 | BB302C | Estructura en predisponer el amplificador del VHF RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248955 | BB302C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248956 | BB302M | Estructura en predisponer el amplificador del VHF RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248957 | BB302M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248958 | BB302M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248959 | BB303C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248960 | BB303M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
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