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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
251681BC847BPropósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC857B ComplementariaContinental Device India Limited
251682BC847BTransistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutaciónKorea Electronics (KEC)
251683BC847BIc = 100mA, Vce = 5.0V transistorMCC
251684BC847B50 V, superficie de montaje pequeño transistor NPN de señalTRANSYS Electronics Limited
251685BC847B50 V, superficie de montaje pequeño transistor NPN de señalTRSYS
251686BC847B(Z)Transistores de los fines SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERALESDiodes
251687BC847B,C> de los transistores; Señal pequeña Transistors(up bipolar a 0.6W)ROHM
251688BC847B-1FTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
251689BC847B-1FSILICIO DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
251690BC847B-1FTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
251691BC847B-1FTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
251692BC847B-1FSILICIO DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
251693BC847B-1FTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
251694BC847B-7TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE NPNDiodes
251695BC847B-7-FTransistores bipolaresDiodes
251696BC847B-GPequeña señal Transistor, V CBO = 50V, V CEO = 45V, V EBO = 6V, yo C = 0.1AComchip Technology
251697BC847BDW1Transistores De fines generales DualesON Semiconductor
251698BC847BDW1T1Transistores De fines generales DualesON Semiconductor
251699BC847BDW1T145 V, el transistor de doble propósito generalLeshan Radio Company



251700BC847BDW1T1GTransistores De fines generales DualesON Semiconductor
251701BC847BFTransistores de los fines generales de NPNPhilips
251702BC847BFATRANSISTOR de 45V NPN PEQUEÑA SEÑAL EN DFN0806Diodes
251703BC847BFA-7BTRANSISTOR de 45V NPN PEQUEÑA SEÑAL EN DFN0806Diodes
251704BC847BFZTRANSISTOR de 45V NPN PEQUEÑA SEÑAL EN DFN0606Diodes
251705BC847BFZ-7BTRANSISTOR de 45V NPN PEQUEÑA SEÑAL EN DFN0606Diodes
251706BC847BLTransistor SSP NPNON Semiconductor
251707BC847BLDPEQUEÑA SEÑAL transistor NPN CON CONTROL DE VOLTAJE base-emisorDiodes
251708BC847BLPDiscretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
251709BC847BLP-7Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
251710BC847BLP4Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
251711BC847BLP4-7Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50VDiodes
251712BC847BLT1Silicio De fines generales De Transistors(PNP)Leshan Radio Company
251713BC847BLT1EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251714BC847BLT1Transistor SSP NPNON Semiconductor
251715BC847BLT3Transistor SSP NPNON Semiconductor
251716BC847BMSerie de BC847M; Transistores de los fines generales de NPNPhilips
251717BC847BM45 V, 100 mA NPN de propósito generalNXP Semiconductors
251718BC847BM3Transistores para aplicaciones generalesON Semiconductor
251719BC847BMB45 V, 100 mA NPN de propósito generalNXP Semiconductors
251720BC847BMTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
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