| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 256281 | BD242B | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256282 | BD242B | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256283 | BD242B | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256284 | BD242B | ENERGÍA PLÁSTICA TRANSISTORSS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 256285 | BD242B | Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario | Motorola |
| 256286 | BD242B | Energía Á 80V PNP | ON Semiconductor |
| 256287 | BD242B | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | TRSYS |
| 256288 | BD242B | Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256289 | BD242B | 90 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256290 | BD242B | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 80VDC, VCES = 90Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 256291 | BD242BFP | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 256292 | BD242BFP | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256293 | BD242BFP | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256294 | BD242C | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256295 | BD242C | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 256296 | BD242C | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | Power Innovations |
| 256297 | BD242C | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256298 | BD242C | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 256299 | BD242C | ENERGÍA TRANSISTORS(Á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256300 | BD242C | ENERGÍA PLÁSTICA TRANSISTORSS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 256301 | BD242C | Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario | Motorola |
| 256302 | BD242C | Energía Á 100V PNP | ON Semiconductor |
| 256303 | BD242C | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP | TRSYS |
| 256304 | BD242C | Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256305 | BD242C | 115 V, el transistor de potencia de silicio de PNP | TRANSYS Electronics Limited |
| 256306 | BD242C | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 256307 | BD242CTU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256308 | BD242TU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256309 | BD243 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256310 | BD243 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
| 256311 | BD243 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ã, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256312 | BD243 | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 256313 | BD243 | 65.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256314 | BD243 | Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 55V, 65W. | General Electric Solid State |
| 256315 | BD243A | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256316 | BD243A | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Power Innovations |
| 256317 | BD243A | TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 256318 | BD243A | TRANSISTORES DE ENERGÍA: AMPLIFICADOR DE FINES GENERALES Y USO De baja frecuencia de la CONMUTACIÓN | MOSPEC Semiconductor |
| 256319 | BD243A | 65.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256320 | BD243A | Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 70V, 65W. | General Electric Solid State |
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