Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
45721 | 2N3866 | Transistores epitaxial planar del recubrimiento del silicio | Philips |
45722 | 2N3866 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
45723 | 2N3866 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
45724 | 2N3866 | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDA | Microsemi |
45725 | 2N3866 | Polaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPN | Semicoa Semiconductor |
45726 | 2N3866A | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDA | Microsemi |
45727 | 2N3866A | Polaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPN | Semicoa Semiconductor |
45728 | 2N3866AF | Chip: geometría 1007; polaridad NPN | Semicoa Semiconductor |
45729 | 2N3866AUB | Polaridad 1007 De la Geometría Del Tipo 2C386Ã De la Viruta NPN | Semicoa Semiconductor |
45730 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
45731 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
45732 | 2N3867 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
45733 | 2N3867 | Propósito 1.000W general PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
45734 | 2N3867S | Transistor de PNP | Microsemi |
45735 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
45736 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
45737 | 2N3868 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
45738 | 2N3868S | Transistor de PNP | Microsemi |
45739 | 2N3870 | Silicio Rectifiers(Reverse Controlado Que bloquea Los Tiristores Del Triodo) | Motorola |
45740 | 2N3870 | 35A silicio rectificador controlado. Vrsom (no-rep) 150V. | General Electric Solid State |
45741 | 2N3871 | Silicio Rectifiers(Reverse Controlado Que bloquea Los Tiristores Del Triodo) | Motorola |
45742 | 2N3871 | 35A silicio rectificador controlado. Vrsom (no-rep) 330V. | General Electric Solid State |
45743 | 2N3872 | Silicio Rectifiers(Reverse Controlado Que bloquea Los Tiristores Del Triodo) | Motorola |
45744 | 2N3872 | 35A silicio rectificador controlado. Vrsom (no-rep) 660V. | General Electric Solid State |
45745 | 2N3873 | Silicio Rectifiers(Reverse Controlado Que bloquea Los Tiristores Del Triodo) | Motorola |
45746 | 2N3873 | 35A silicio rectificador controlado. Vrsom (no-rep) 700V. | General Electric Solid State |
45747 | 2N3878 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTOR | General Electric Solid State |
45748 | 2N3878 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTOR | General Electric Solid State |
45749 | 2N3879 | Transistor de NPN | Microsemi |
45750 | 2N3879 | De alta velocidad, epitaxial de silicio colector plano transistor NPN. | General Electric Solid State |
45751 | 2N3884 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45752 | 2N3884-2N3895 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45753 | 2N3885 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45754 | 2N3886 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45755 | 2N3887 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45756 | 2N3888 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45757 | 2N3889 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45758 | 2N3890 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45759 | 2N3891 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
45760 | 2N3892 | Promedio del SCR 175 Amoeres Del Control De la Fase 1200 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
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