| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 47681 | 2N5550 | TRANSISTORES DE ALTO VOLTAJE DE FINES GENERALES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 47682 | 2N5550 | Transistores Del Amplificador | Motorola |
| 47683 | 2N5550 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 47684 | 2N5550 | Amplificador Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 47685 | 2N5550 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
| 47686 | 2N5550 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de fines generales/de alto voltaje del amplificador | Semtech |
| 47687 | 2N5550 | Propósito General de 0.500W NPN Transistor Plástico con plomo. 140V VCEO, 0.600A Ic, 60 - hFE | Continental Device India Limited |
| 47688 | 2N5550 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 140V = VCEO. Tensión colector-base: 160V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
| 47689 | 2N5550-D | Silicio De los Transistores NPN Del Amplificador | ON Semiconductor |
| 47690 | 2N5550BU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47691 | 2N5550RLRA | Amplificador Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 47692 | 2N5550RLRP | Amplificador Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 47693 | 2N5550S | Transistor De alto voltaje | Korea Electronics (KEC) |
| 47694 | 2N5550TA | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47695 | 2N5550TAR | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47696 | 2N5550TF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47697 | 2N5550TFR | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47698 | 2N5550_D26Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47699 | 2N5550_J24Z | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47700 | 2N5551 | Transistores de alto voltaje de NPN | Philips |
| 47701 | 2N5551 | Amplificador De los Fines generales de NPN | National Semiconductor |
| 47702 | 2N5551 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47703 | 2N5551 | Transistor De alto voltaje | Korea Electronics (KEC) |
| 47704 | 2N5551 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 47705 | 2N5551 | TRANSISTORES DE ALTO VOLTAJE DE FINES GENERALES DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 47706 | 2N5551 | Transistor del silicio de NPN (uso de alto voltaje del amplificador de fines generales) | AUK Corp |
| 47707 | 2N5551 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 47708 | 2N5551 | Transistores Del Amplificador | Motorola |
| 47709 | 2N5551 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 47710 | 2N5551 | Amplificador Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 47711 | 2N5551 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de fines generales/de alto voltaje del amplificador | Semtech |
| 47712 | 2N5551 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 0.600A Ic, 80 - hFE | Continental Device India Limited |
| 47713 | 2N5551 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 160V = VCEO. Tensión colector-base: 180V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
| 47714 | 2N5551BU | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47715 | 2N5551C | Transistor De alto voltaje | Korea Electronics (KEC) |
| 47716 | 2N5551CBU | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47717 | 2N5551CTA | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47718 | 2N5551HR | Hi-Rel NPN transistor bipolar de 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
| 47719 | 2N5551HRG | Hi-Rel NPN transistor bipolar de 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
| 47720 | 2N5551HRT | Hi-Rel NPN transistor bipolar de 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
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