| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 47681 | 2N5550 | TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47682 | 2N5550 | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 47683 | 2N5550 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47684 | 2N5550 | Amplificador Pequeno NPN Do Sinal | ON Semiconductor |
| 47685 | 2N5550 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 47686 | 2N5550 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de NPN para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 47687 | 2N5550 | 0.500W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 140V VCEO, 0.600A Ic, 60 - hFE | Continental Device India Limited |
| 47688 | 2N5550 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 140V = VCEO. Tensão colector-base: 160V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47689 | 2N5550-D | Silicone Dos Transistor NPN Do Amplificador | ON Semiconductor |
| 47690 | 2N5550BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47691 | 2N5550RLRA | Amplificador Pequeno NPN Do Sinal | ON Semiconductor |
| 47692 | 2N5550RLRP | Amplificador Pequeno NPN Do Sinal | ON Semiconductor |
| 47693 | 2N5550S | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 47694 | 2N5550TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47695 | 2N5550TAR | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47696 | 2N5550TF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47697 | 2N5550TFR | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47698 | 2N5550_D26Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47699 | 2N5550_J24Z | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47700 | 2N5551 | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 47701 | 2N5551 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | National Semiconductor |
| 47702 | 2N5551 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47703 | 2N5551 | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 47704 | 2N5551 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
| 47705 | 2N5551 | TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47706 | 2N5551 | Transistor do silicone de NPN (aplicação de alta tensão do amplificador da finalidade geral) | AUK Corp |
| 47707 | 2N5551 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DA ALTA TENSÃO DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 47708 | 2N5551 | Transistor Do Amplificador | Motorola |
| 47709 | 2N5551 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47710 | 2N5551 | Amplificador Pequeno NPN Do Sinal | ON Semiconductor |
| 47711 | 2N5551 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de NPN para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 47712 | 2N5551 | 0.625W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 160V VCEO, 0.600A Ic, 80 - hFE | Continental Device India Limited |
| 47713 | 2N5551 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 160V = VCEO. Tensão colector-base: 180V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47714 | 2N5551BU | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47715 | 2N5551C | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 47716 | 2N5551CBU | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47717 | 2N5551CTA | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47718 | 2N5551HR | Oi-Rel NPN transistor bipolar 160 V, 0.5 A | ST Microelectronics |
| 47719 | 2N5551HRG | Oi-Rel NPN transistor bipolar 160 V, 0.5 A | ST Microelectronics |
| 47720 | 2N5551HRT | Oi-Rel NPN transistor bipolar 160 V, 0.5 A | ST Microelectronics |
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