Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
55841 | 2SC5050 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55842 | 2SC5051 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
55843 | 2SC5051 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
55844 | 2SC5051 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55845 | 2SC5052 | USOS AUDIO EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT), USOS DEL AMPLIFICADOR DE LA ETAPA DE CONDUCTOR | TOSHIBA |
55846 | 2SC5053 | > de los transistores; Energía Media Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
55847 | 2SC5058S | 25V, 50mA, 300 MHz de alta frecuencia del amplificador de transistor | ROHM |
55848 | 2SC5060 | > de los transistores; Energía Media Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
55849 | 2SC5061 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
55850 | 2SC5061 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55851 | 2SC5061 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
55852 | 2SC5061 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55853 | 2SC5062 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
55854 | 2SC5062 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55855 | 2SC5062 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
55856 | 2SC5062 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
55857 | 2SC5063 | Conmutación de la velocidad del voltaje de interrupción del type(For planar triple de la difusión del silicio NPN alta alta) | Panasonic |
55858 | 2SC5064 | Usos Bajos Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo VHF~UHF Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |
55859 | 2SC5065 | Usos Bajos Del Amplificador Del Ruido De la Venda Planar Epitaxial Del Tipo VHF~UHF Del Silicio NPN Del Transistor | TOSHIBA |