| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568801 | IRF7832TR | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568802 | IRF7834 | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568803 | IRF7842 | Energía MOSFET(Vdss = 40 V) | International Rectifier |
| 568804 | IRF7842 | Energía MOSFET(Vdss = 40 V) | International Rectifier |
| 568805 | IRF7901D1 | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568806 | IRF7901D1TR | 30V FETKY - Diodo del MOSFET y de Schottky en un paquete SO-8 | International Rectifier |
| 568807 | IRF7910 | 12V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568808 | IRF7E3704 | 20V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Lcc-18 | International Rectifier |
| 568809 | IRF7F3704 | 20V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 568810 | IRF7MS2907 | 75V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete óhmico bajo de To-25âa | International Rectifier |
| 568811 | IRF7N1405 | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-1 | International Rectifier |
| 568812 | IRF7NA2907 | 75V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-2 | International Rectifier |
| 568813 | IRF7NJZ44V | 60V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568814 | IRF7Y1405CM | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568815 | IRF7YSZ44VCM | 60V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete óhmico bajo de To-257aa | International Rectifier |
| 568816 | IRF8010 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568817 | IRF8010L | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568818 | IRF8010S | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2Pak | International Rectifier |
| 568819 | IRF8113 | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568820 | IRF8113TR | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 568821 | IRF82 | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568822 | IRF82 | ENERGÍA MOSTRANSISTORS Del MODO Del REALCE Del CANAL De N | ST Microelectronics |
| 568823 | IRF820 | 2.Ä, 500V, 3,000 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568824 | IRF820 | N-canal 500V - 2,5 OHMIOS - Â - Mosfet De To-220 POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 568825 | IRF820 | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568826 | IRF820 | MOSFET DE LA ENERGÍA | BayLinear |
| 568827 | IRF820 | N - CANAL 500V - 2,5 W - 2,5 A - Mosfet De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568828 | IRF820 | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 568829 | IRF820 | Mosfet De la Energía De 2.Ä/De 500V/3,000 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568830 | IRF820 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 568831 | IRF820 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568832 | IRF820A | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568833 | IRF820AL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568834 | IRF820APBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568835 | IRF820AS | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568836 | IRF820ASTRL | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568837 | IRF820ASTRR | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568838 | IRF820B | Mosfet Del N-Canal 500V | Fairchild Semiconductor |
| 568839 | IRF820FI | N-canal de modo de mejora transistor MOS de potencia, 500V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568840 | IRF820PBF | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
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