| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 569041 | IRF9542 | 100 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569042 | IRF9543 | Mosfet De la Energía Del Canal De P | Harris Semiconductor |
| 569043 | IRF9543 | Mosfet De la Energía Del Canal 100 V De P | International Rectifier |
| 569044 | IRF9543 | Mosfet De la Energía Del Canal De P | Samsung Electronic |
| 569045 | IRF9610 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569046 | IRF9610S | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569047 | IRF9610STRL | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569048 | IRF9610STRR | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569049 | IRF9620 | 3.Ä, 200V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 569050 | IRF9620 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569051 | IRF9620 | Mosfet De la Energía De 3.Ä/De 200V/1,500 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 569052 | IRF9620S | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569053 | IRF9620STRL | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569054 | IRF9620STRR | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569055 | IRF9630 | 6.Ä, 200V, 0,800 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 569056 | IRF9630 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569057 | IRF9630 | MOSFETs De la Energía De 6.Ä/De 200V/0,800 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 569058 | IRF9630 | 200 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569059 | IRF9630PBF | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569060 | IRF9630S | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569061 | IRF9630STRL | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569062 | IRF9630STRR | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569063 | IRF9631 | 150 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569064 | IRF9632 | 200 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569065 | IRF9633 | 150 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569066 | IRF9640 | 11A, 200V, 0,500 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 569067 | IRF9640 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569068 | IRF9640 | MOSFETs De la Energía De 11A/De 200V/0,500 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 569069 | IRF9640 | 200 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569070 | IRF9640PBF | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 569071 | IRF9640S | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569072 | IRF9640SPBF | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569073 | IRF9640STRL | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569074 | IRF9640STRR | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 569075 | IRF9641 | 150 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569076 | IRF9642 | 200 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569077 | IRF9643 | 150 V, potencia MOSFET de canal P | Samsung Electronic |
| 569078 | IRF9910 | 20V se doblan MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 569079 | IRF9952 | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
| 569080 | IRF9952TR | 30V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete So-8 | International Rectifier |
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