Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
569281 | IRFD9110 | Mosfet De la Energía De 0.7A/De 100V/1,200 Ohmios/P-Canal | Intersil |
569282 | IRFD9120 | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
569283 | IRFD9120 | Mosfet De la Energía De 1.0A/De 100V/0,6 Ohmios/P-Canal | Intersil |
569284 | IRFD9210 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
569285 | IRFD9220 | -200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
569286 | IRFD9220 | Mosfet De la Energía De 0.Ã/De 200V/1,500 Ohmios/P-Canal | Intersil |
569287 | IRFDC20 | 600V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
569288 | IRFE024 | 60V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569289 | IRFE024 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
569290 | IRFE110 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569291 | IRFE120 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569292 | IRFE130 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569293 | IRFE130 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
569294 | IRFE210 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569295 | IRFE220 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569296 | IRFE230 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569297 | IRFE230 | 200V Vdss N-canal FET (transistor de efecto de campo) | SemeLAB |
569298 | IRFE310 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569299 | IRFE320 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569300 | IRFE330 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569301 | IRFE420 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569302 | IRFE430 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569303 | IRFE9024 | -60V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569304 | IRFE9110 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569305 | IRFE9110 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
569306 | IRFE9120 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569307 | IRFE9130 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569308 | IRFE9130 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
569309 | IRFE9210 | -200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569310 | IRFE9220 | -200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569311 | IRFE9230 | -200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCC | International Rectifier |
569312 | IRFE9230 | Mosfet de la ENERGÍA Del P-canal | SemeLAB |
569313 | IRFEA240 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de los 28-pernos LCC | International Rectifier |
569314 | IRFF024 | 60V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
569315 | IRFF110 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
569316 | IRFF110 | Mosfet De la Energía De 3.Ä/De 100V/0,600 Ohmios/N-Canal | Intersil |
569317 | IRFF110 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual. | General Electric Solid State |
569318 | IRFF110 | N-canal de compuerta de silicio-modo de mejora TMOS de pequeña señal del transistor de efecto de campo. | Motorola |
569319 | IRFF111 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual. | General Electric Solid State |
569320 | IRFF112 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual. | General Electric Solid State |
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