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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
569281IRFD9110Mosfet De la Energía De 0.7A/De 100V/1,200 Ohmios/P-CanalIntersil
569282IRFD9120-100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIPInternational Rectifier
569283IRFD9120Mosfet De la Energía De 1.0A/De 100V/0,6 Ohmios/P-CanalIntersil
569284IRFD9210-200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIPInternational Rectifier
569285IRFD9220-200V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIPInternational Rectifier
569286IRFD9220Mosfet De la Energía De 0.Ã/De 200V/1,500 Ohmios/P-CanalIntersil
569287IRFDC20600V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIPInternational Rectifier
569288IRFE02460V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569289IRFE024Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
569290IRFE110100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569291IRFE120100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569292IRFE130100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569293IRFE130Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSemeLAB
569294IRFE210200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569295IRFE220200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569296IRFE230200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569297IRFE230200V Vdss N-canal FET (transistor de efecto de campo)SemeLAB
569298IRFE310400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569299IRFE320400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier



569300IRFE330400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569301IRFE420500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569302IRFE430500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569303IRFE9024-60V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569304IRFE9110-100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569305IRFE9110Mosfet de la ENERGÍA Del P-canalSemeLAB
569306IRFE9120-100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569307IRFE9130-100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569308IRFE9130Mosfet de la ENERGÍA Del P-canalSemeLAB
569309IRFE9210-200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569310IRFE9220-200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569311IRFE9230-200V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete del 18-perno LCCInternational Rectifier
569312IRFE9230Mosfet de la ENERGÍA Del P-canalSemeLAB
569313IRFEA240200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de los 28-pernos LCCInternational Rectifier
569314IRFF02460V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
569315IRFF110100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äfInternational Rectifier
569316IRFF110Mosfet De la Energía De 3.Ä/De 100V/0,600 Ohmios/N-CanalIntersil
569317IRFF110N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual.General Electric Solid State
569318IRFF110N-canal de compuerta de silicio-modo de mejora TMOS de pequeña señal del transistor de efecto de campo.Motorola
569319IRFF111N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual.General Electric Solid State
569320IRFF112N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual.General Electric Solid State
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