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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
596812SJ602-SOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m de la energía de PchNEC
596822SJ602-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596832SJ602-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596842SJ602-ZJOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m de la energía de PchNEC
596852SJ603Ohmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m de la energía de PchNEC
596862SJ603-SOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m de la energía de PchNEC
596872SJ603-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596882SJ603-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596892SJ603-ZJOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m de la energía de PchNEC
596902SJ604Ohmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=30m de la energía de PchNEC
596912SJ604-SOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=30m de la energía de PchNEC
596922SJ604-ZOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=30m de la energía de PchNEC
596932SJ604-ZJTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596942SJ604-ZJTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596952SJ605Ohmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=20m de la energía de PchNEC
596962SJ605-SOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=20m de la energía de PchNEC
596972SJ605-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596982SJ605-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
596992SJ605-ZJOhmio To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V RonMAX=20m de la energía de PchNEC



597002SJ606Ohmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=15m de la energía de PchNEC
597012SJ606-SOhmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=15m de la energía de PchNEC
597022SJ606-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
597032SJ606-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
597042SJ606-ZJOhmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=15m de la energía de PchNEC
597052SJ607Ohmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=11m de la energía de PchNEC
597062SJ607-SOhmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=11m de la energía de PchNEC
597072SJ607-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
597082SJ607-ZTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MOSNEC
597092SJ607-ZJOhmio MAX. To-220ab, to-262, to-263 del MOSFET 60V Ron=11m de la energía de PchNEC
597102SJ608MOSFETs Medios De la SalidaSANYO
597112SJ609Usos Del Convertidor de la C.C./de la C.C. del Mosfet Del Silicio Del P-CanalSANYO
597122SJ610El regulador de conmutación del tipo del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo (pi-MOSV), el convertidor C.C.-C.C. y motor conducen usosTOSHIBA
597132SJ612MOSFETs Medios De la SalidaSANYO
597142SJ613MOSFETs Medios De la SalidaSANYO
597152SJ615MOSFETs Medios De la SalidaSANYO
597162SJ616MOSFETs Medios De la SalidaSANYO
597172SJ619Los usos del regulador y del convertidor C.C.-C.C. de conmutación del tipo del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo (L2-pi-mosv) viajan en automóvili usos de la impulsiónTOSHIBA
597182SJ620Los usos del regulador y del convertidor C.C.-C.C. de conmutación del tipo del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo (L2-pi-mosv) viajan en automóvili usos de la impulsiónTOSHIBA
597192SJ621Fet del MOS del tipo del realce de PchNEC
597202SJ621-T1BFet del MOS del tipo del realce de PchNEC
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