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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
911841MTB2P50EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 2,0 AMPERIOS 500 VOLTIOSMotorola
911842MTB2P50EFet 500V Los 6.00Ohm De la Energía de TMOSON Semiconductor
911843MTB2P50E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del P-Canal del montajeON Semiconductor
911844MTB2P50ET4Fet 500V Los 6.00Ohm De la Energía de TMOSON Semiconductor
911845MTB30N06VLFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911846MTB30N06VLMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógicoON Semiconductor
911847MTB30N06VL-DMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano D2PAK De la LógicaON Semiconductor
911848MTB30P06FET DE LA ENERGÍA DE TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911849MTB30P06VFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 30 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911850MTB30P06VMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911851MTB30P06VMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911852MTB30P06V-DMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios De P-Canal D2PAKON Semiconductor
911853MTB30P06VGMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911854MTB30P06VGMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911855MTB30P06VT4Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911856MTB30P06VT4Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911857MTB30P06VT4GMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911858MTB30P06VT4GMosfet De la Energía 30 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911859MTB33N10EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 33 AMPERIOS 100 VOLTIOSMotorola



911860MTB33N10EMosfet De la Energía 33 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
911861MTB33N10E-DMosfet De la Energía 33 Amperios, 100 Voltios De N-Canal D2PAKON Semiconductor
911862MTB36N06EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 36 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911863MTB36N06VFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 32 AMPERIOS 60 VOLTIOSMotorola
911864MTB36N06VMosfet De la Energía 32 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911865MTB36N06VMosfet De la Energía 32 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911866MTB36N06V-DMosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios De N-Canal D2PAKON Semiconductor
911867MTB36N06VT4Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911868MTB36N06VT4Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 VoltiosON Semiconductor
911869MTB3N100EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 3,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOSMotorola
911870MTB3N100E2 Amp D2PAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 1000ON Semiconductor
911871MTB3N100E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911872MTB3N120EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 3,0 AMPERIOS 1200 VOLTIOSMotorola
911873MTB3N120E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911874MTB3N60EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 3,0 AMPERIOS 600 VOLTIOSMotorola
911875MTB3N60ED2PAK para montaje en superficie N-Canal Del Realce-Modo de Silicon PuertaON Semiconductor
911876MTB3N60E-DFet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montajeON Semiconductor
911877MTB40N10EFET DE LA ENERGÍA DE TMOS 40 AMPERIOS 100 VOLTIOSMotorola
911878MTB40N10EMosfet De la Energía 40 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
911879MTB40N10E-DMosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios De N-Canal D2PAKON Semiconductor
911880MTB40N10ET4Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 VoltiosON Semiconductor
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